可靠性測(cè)試文章最新資訊

CMOS可靠性測(cè)試：脈沖技術(shù)如何助力AI、5G、HPC？

在半導(dǎo)體領(lǐng)域，隨著技術(shù)的不斷演進(jìn)，對(duì)CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）可靠性的要求日益提高。特別是在人工智能（AI）、5G通信和高性能計(jì)算（HPC）等前沿技術(shù)的推動(dòng)下，傳統(tǒng)的可靠性測(cè)試方法已難以滿足需求。本文將探討脈沖技術(shù)在CMOS可靠性測(cè)試中的應(yīng)用，以及它如何助力這些新興技術(shù)的發(fā)展。引言對(duì)于研究半導(dǎo)體電荷捕獲和退化行為而言，交流或脈沖應(yīng)力是傳統(tǒng)直流應(yīng)力測(cè)試的有力補(bǔ)充。在NBTI（負(fù)偏置溫度不穩(wěn)定性）和TDDB（隨時(shí)間變化的介電擊穿）試驗(yàn)中，應(yīng)力/測(cè)量循環(huán)通常采用直流信號(hào)，因其易于映射到器件模型中。然而，結(jié)
關(guān)鍵字： CMOS 可靠性測(cè)試脈沖技術(shù) AI 5G HPC 泰克科技

對(duì)于研究半導(dǎo)體電荷捕獲和退化行為來說，交流或脈沖應(yīng)力對(duì)典型的應(yīng)力測(cè)試是一個(gè)有用的補(bǔ)充。NBTI（負(fù)偏置溫度不穩(wěn)定性）和TDDB（隨時(shí)間變化的介電擊穿）試驗(yàn)包括應(yīng)力/測(cè)量循環(huán)。所施加的應(yīng)力電壓通常是一個(gè)直流信號(hào)，使用它是因?yàn)樗菀子成涞狡骷Ｐ椭小Ｈ欢?，結(jié)合脈沖應(yīng)力測(cè)試提供了額外的數(shù)據(jù)，允許更好地理解依賴頻率電路的器件性能。傳統(tǒng)上，直流應(yīng)力和測(cè)量技術(shù)被廣泛用于表征CMOS晶體管的可靠性，如由溝道熱載流子注入（HCI）和時(shí)間依賴性介電擊穿（TDDB）引起的退化。然而，隨著新的可靠性測(cè)試的發(fā)展，如金屬氧化物半
關(guān)鍵字：脈沖電壓可靠性測(cè)試脈沖應(yīng)力

作為光源中的新興力量，led的發(fā)光方式與傳統(tǒng)光源截然不同。它是利用半導(dǎo)體PN節(jié)中的電子與空穴的復(fù)合來發(fā)光。...
關(guān)鍵字： Hold LED照明可靠性測(cè)試

　引言　　硅片級(jí)可靠性（WLR）測(cè)試最早是為了實(shí)現(xiàn)內(nèi)建（BIR）可靠性而提出的一種測(cè)試手段。硅片級(jí)可靠性測(cè)試的最 ...
關(guān)鍵字：硅片級(jí) 可靠性測(cè)試詳解

可靠性測(cè)試儀器的發(fā)展趨勢(shì)　　就像前文所指出的那樣，可靠性測(cè)試需要與新器件的設(shè)計(jì)和新材料的使用密切關(guān)聯(lián) ...
關(guān)鍵字：晶圓級(jí) 可靠性測(cè)試器件開發(fā)

從硬件角度出發(fā)，可靠性測(cè)試分為兩類：　　以行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)或者國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)為基礎(chǔ)的可靠性測(cè)試。比如電磁兼容試驗(yàn)、氣候類環(huán)境試驗(yàn)、機(jī)械類環(huán)境試驗(yàn)和安規(guī)試驗(yàn)等?！　∑髽I(yè)自身根據(jù)其產(chǎn)品特點(diǎn)和對(duì)質(zhì)量的認(rèn)識(shí)所開發(fā)的測(cè)試項(xiàng)目
關(guān)鍵字：實(shí)例分析可靠性測(cè)試硬件

1、描述輸入電壓影響輸出電壓的幾個(gè)指標(biāo)形式⑴穩(wěn)壓系數(shù)① 絕對(duì)穩(wěn)壓系數(shù)K表示負(fù)載不變時(shí)，穩(wěn)壓 ...
關(guān)鍵字： LED 電源可靠性測(cè)試

1、描述輸入電壓影響輸出電壓的幾個(gè)指標(biāo)形式⑴穩(wěn)壓系數(shù)①絕對(duì)穩(wěn)壓系數(shù)K表示負(fù)載不變時(shí)，穩(wěn)壓...
關(guān)鍵字： LED電源可靠性測(cè)試指標(biāo)

　　就像摩爾定律驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體幾何尺寸的縮小一樣，有關(guān)解決半導(dǎo)體可靠性問題的活動(dòng)也遵循一個(gè)似乎有點(diǎn)可以預(yù)測(cè)的周期。例如，技術(shù)演進(jìn)到VLSI時(shí)，為了保持導(dǎo)線的電路速度，引入了鋁線連接。此時(shí)，很快就發(fā)現(xiàn)了電子遷移這類的可靠性問題。一旦發(fā)現(xiàn)了問題所在，就會(huì)通過實(shí)驗(yàn)來對(duì)退化機(jī)制進(jìn)行建模。利用這些模型，工藝工程師努力使新技術(shù)的可靠性指標(biāo)達(dá)到最佳。隨著技術(shù)的進(jìn)一步成熟，焦點(diǎn)轉(zhuǎn)移到缺陷的降低上面。而隨著ULSI的引入，由于使用了應(yīng)力硅、銅和低K介電材料等，又開始一輪新周期。　　隨著引入的化合物材料的增加，可靠性方面的挑
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 VLS 可靠性測(cè)試晶體管

為了對(duì)某光電設(shè)備進(jìn)行可靠性試驗(yàn)，需要由光應(yīng)力源、電應(yīng)力源、光具工作臺(tái)、振動(dòng)試驗(yàn)臺(tái)、光度測(cè)量設(shè)備和監(jiān)測(cè)與記錄部分等組成可靠性試驗(yàn)系統(tǒng)。
關(guān)鍵字： LabVIEW IMAQ 光電設(shè)備可靠性測(cè)試

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