半導體 文章 最新資訊
中國希望并將擁有自己的半導體生產(chǎn)廠
- 中國沒有自己的硬盤、DRAM和閃存生產(chǎn)廠,但是這種情況可能會發(fā)生變化。中國正在進入硬盤組件生產(chǎn)領(lǐng)域,華為和創(chuàng)新科存儲技術(shù)有限公司生產(chǎn)的是使用硬盤、DRAM和閃存的服務(wù)器和存儲陣列。然而中國本身并沒有為企業(yè)級設(shè)備生產(chǎn)核心基本存儲技術(shù)的廠商。 創(chuàng)立和運營生產(chǎn)硬盤所需的半導體生產(chǎn)廠和綜合性生產(chǎn)廠需要數(shù)十億美元的資金和世界級專業(yè)技術(shù)。但是這些情況可能會發(fā)生變化,中國已經(jīng)開始生產(chǎn)源自DEC的Alpha芯片的處理器和基于MIPS級體系結(jié)構(gòu)的其他產(chǎn)品,這或許可以說明情況正在發(fā)生變化。 這些產(chǎn)品都是用于超
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中微在泛林科技專利訴訟中第四次獲勝
- 中微半導體設(shè)備有限公司(AMEC)宣布,中微在由美國泛林科技在臺灣針對中微關(guān)聯(lián)公司提起的訴訟中再次取得勝利。 去年12月29日,臺灣智慧財產(chǎn)法院(IP Court)作出判決,維持了由臺灣經(jīng)濟部智慧財產(chǎn)局(TIPO)作出的不利于泛林科技的決定。臺灣智慧財產(chǎn)法院在判決中支持了臺灣經(jīng)濟部智慧財產(chǎn)局的立場,宣布泛林科技的專利號為126873的臺灣專利(聚焦環(huán)裝置專利)由于缺乏新穎性和創(chuàng)造性而無效,因而無法構(gòu)成指控中微侵權(quán)的依據(jù)。 法庭的宣判標志著中微在泛林科技指控中微專利侵權(quán)的糾紛案中第四次取得了
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半導體市場在挑戰(zhàn)下生機盎然
- 在科技革命的推動下,人類社會開啟了工業(yè)化革命的進程,這客觀上促進了經(jīng)濟全球化及城市化的進一步發(fā)展,而半導體技術(shù)的快速發(fā)展將在應(yīng)對這些變化所帶來的挑戰(zhàn)中扮演重要角色。 全球化的進程拉近了每個人之間的距離,這對未來的通訊電子提出了更高的需求。隨著3G向LTE技術(shù)的過渡,減少延遲、提高資料速率和系統(tǒng)容量等要求對從運放到轉(zhuǎn)換器、甚至射頻技術(shù)及產(chǎn)品都有大量的需求。而城市化的進程在給城市面貌帶來驚人變化的同時,城市區(qū)域的擴張、核心區(qū)域人口的高密度無疑都給城市交通帶來了巨大的壓力。 現(xiàn)代化的城市交通系統(tǒng)
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2012年十大新興產(chǎn)業(yè)為半導體市場注入增長因素
- 2012年對于半導體產(chǎn)業(yè)無疑將是具有挑戰(zhàn)性的一年。若干全球宏觀經(jīng)濟問題不僅影響半導體產(chǎn)業(yè),還會對全球經(jīng)濟產(chǎn)生負面影響。失業(yè)率居高不下,對經(jīng)濟衰退的擔憂,目前的歐洲債務(wù)危機,中國、印度和巴西的通脹,這些經(jīng)濟問題將會使半導體市場增長速度放緩。 好消息是,十大新興產(chǎn)業(yè)(LED照明、智能電網(wǎng)、新能源、LTE通信、智能手機、智能電視、平板電腦、云計算、電動汽車和個人醫(yī)療電子)為2012年的半導體市場注入了不少推動需求增長的因素。 LED照明將變得像白熾燈一樣普及今天已經(jīng)是業(yè)界的一個廣泛共識,美國、歐
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半導體制程技術(shù)邁入3D 2013年可視為量產(chǎn)元年
- 時序即將進入2012年,半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)持續(xù)進行變革,其中3DIC便為未來芯片發(fā)展趨勢,將促使供應(yīng)鏈加速投入3DIC研發(fā),其中英特爾(Intel)在認為制程技術(shù)將邁入3D下,勢必激勵其本身的制程創(chuàng)新。另外在半導體業(yè)者預期3DIC有機會于2013年出現(xiàn)大量生產(chǎn)的情況下,預估2013年也可視為是3DIC量產(chǎn)元年。 3DIC為未來芯片發(fā)展趨勢,其全新架構(gòu)帶來極大改變,英特爾即認為,制程技術(shù)將邁入3D,未來勢必激勵技術(shù)創(chuàng)新。英特爾實驗室日前便宣布與工研院合作,共同合作開發(fā)3DIC架構(gòu)且具低功耗特性的內(nèi)存技
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半導體資本支出將減 大和證估將少9%
- 半導體產(chǎn)業(yè)今年下半年同樣受到終端需求疲弱、供應(yīng)鏈庫存修正影響業(yè)績表現(xiàn),迎接2012年的到來,市場預期供應(yīng)鏈庫存去化完成后將有望帶起新的一波備庫存動能,第一季將是落底時機;大和證券也在最新報告中針對半導體設(shè)備與DRAM族群提出看法,認為由行動裝置推升的高階制程需求將是設(shè)備業(yè)明年表現(xiàn)主軸,而DRAM價格預料將在明年第一季后才有機會出現(xiàn)反彈狀況。 針對明年半導體設(shè)備族群表現(xiàn),大和證券認為,在臺積電與英特爾等大廠資本支出都可能減少的情況下都可能減少的情況下,預估明年半導體大廠資本支出將較今年減少9%,不
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2012半導體產(chǎn)業(yè)僅個位數(shù)成長
- 2012年全球半導體產(chǎn)業(yè)僅個位數(shù)成長似乎已成業(yè)界共識,成長率分別從2~8%不等,雖然產(chǎn)業(yè)維持成長態(tài)勢,但也將面臨許多挑戰(zhàn),產(chǎn)業(yè)界需要更多合作創(chuàng)新。以封裝業(yè)而言,矽品副總經(jīng)理馬光華便表示,已有不少跨產(chǎn)業(yè)合作的例子,包括封裝業(yè)與太陽能合作,也有封裝業(yè)跨足LED領(lǐng)域的情況。此外,他認為產(chǎn)業(yè)不會有獨大的情況,存在2個以上的主要廠商才是正常。 2011年景氣不如年初所預期,呈現(xiàn)虎頭蛇尾走勢,主要受到日本311地震、歐債問題及
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半導體廠商華宏宣布與宏力合并 挑戰(zhàn)中芯國際
- 北京時間12月30日早間消息,華宏半導體和宏力半導體周四宣布,兩家公司已達成并購協(xié)議。這一并購體現(xiàn)了中國半導體行業(yè)的整合,雙方并未披露這筆交易的財務(wù)條款。 在這筆交易中,華宏半導體將面向宏力半導體股東發(fā)行新股,以換取宏力半導體的所有流通股。合并后的公司將成為中國內(nèi)地最大芯片制造商中芯國際的重要競爭對手,而中芯國際已經(jīng)面臨著臺灣芯片廠商的激烈競爭。 這一并購還表明,資本密集型的外包芯片制造行業(yè)公司已開始尋找新方式,通過合作及降低投資成本,來保證先進的生產(chǎn)線繼續(xù)運轉(zhuǎn)。 并購完成后,華宏半
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遼沈地區(qū)半導體裝備產(chǎn)業(yè)強勢崛起
- 半導體裝備制造產(chǎn)業(yè)是國民經(jīng)濟的戰(zhàn)略性和先導性產(chǎn)業(yè),10余年間,在國家增強自主創(chuàng)新能力和振興東北老工業(yè)基地等戰(zhàn)略方針的引導下,遼寧半導體裝備制造產(chǎn)業(yè)以沈陽為中心實現(xiàn)了從無到有、從小到大、由弱到強的歷史性轉(zhuǎn)變:建成了國內(nèi)首個IC裝備控制軟件平臺和IC裝備專業(yè)孵化器,攻克了多個制約我國半導體設(shè)備的生產(chǎn)工藝和關(guān)鍵技術(shù),創(chuàng)造了300余項科研成果,成功研制出6-12英寸等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)、勻膠顯影、單片濕法刻蝕和凸點封裝噴涂膠等系列整機設(shè)備以及300mm IC生產(chǎn)線自動物料搬運系統(tǒng)、直接驅(qū)動真
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半導體工藝微細化遇阻
- 半導體工藝技術(shù)在不斷進步。先行廠商已開始量產(chǎn)22/20nm工藝產(chǎn)品,而且還在開發(fā)旨在2~3年后量產(chǎn)的15nm技術(shù)。不過,雖然技術(shù)在不斷進步,但很多工藝技術(shù)人員都擁有閉塞感。因為工藝技術(shù)革新的關(guān)鍵——微細化讓人擔心。決定微細化成敗的蝕刻技術(shù)沒有找到突破口,由微細化帶來的成本優(yōu)勢越來越難以確認。而在微細化以外的技術(shù)方面,2011年出現(xiàn)了頗受關(guān)注的話題,美國英特爾宣布三維晶體管實用化、臺積電(TSMC)宣布建設(shè)450mm晶圓生產(chǎn)線。這些技術(shù)正在逐漸擴大到全行業(yè)。 量產(chǎn)中遲遲無法
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京元電:半導體有三關(guān)卡
- 因應(yīng)全球景氣混沌不明,京元電手握百億銀彈對抗低迷的景氣;京元電董事長李金恭27日表示,明年整個半導體產(chǎn)業(yè)將面臨三道關(guān)卡,首要是歐債風暴能遠離。 曾經(jīng)歷網(wǎng)絡(luò)泡沬、SARS危機及全球金融風暴的李金恭,以他過去對總體經(jīng)濟局勢的變遷所練就的市場敏銳度,他表示,明年全球經(jīng)濟景氣能否回溫,恐怕要先過三個關(guān)卡,歐債問題、美國經(jīng)濟數(shù)據(jù)、以及新興市場消費表現(xiàn)。 李金恭指出,目前美國包括新屋開工率、銷售率、失率業(yè)及耐久財訂單等各項經(jīng)濟數(shù)據(jù)有逐漸好轉(zhuǎn)跡象,感恩節(jié)和圣誕節(jié)買氣也不差,接下來要看華人農(nóng)歷春節(jié)的消費表
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半導體介紹
semiconductor
電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導體室溫時電阻率約在10-5~107歐·米之間,溫度升高時電阻率指數(shù)則減小。半導體材料很多,按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導體;化合物半導體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物(砷化鎵、磷化鎵等)、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細 ]
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