功率mosfet 文章進(jìn)入功率mosfet技術(shù)社區(qū)

英飛凌推出OptiMOS?功率MOSFET，擴(kuò)大采用PQFN 2mmx2mm封裝的產(chǎn)品陣容

【2023年8月3日，德國慕尼黑訊】小型分立式功率MOSFET在節(jié)省空間、降低成本和簡化應(yīng)用設(shè)計(jì)方面發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。此外，更高的功率密度還能實(shí)現(xiàn)靈活的布線并縮小系統(tǒng)的整體尺寸。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進(jìn)的全新OptiMOS?功率MOSFET，進(jìn)一步擴(kuò)大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)桿解決方案，在更小的封裝尺寸內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣泛適用于各種應(yīng)用，如服務(wù)器、通信
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東芝推出100V N溝道功率MOSFET,助力實(shí)現(xiàn)電源電路小型化

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用東芝最新一代U-MOS?X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款產(chǎn)品適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站所用的工業(yè)設(shè)備電源線路上的開關(guān)電路和熱插拔電路[1]等應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。TPH3R10AQM具有業(yè)界領(lǐng)先的[2]3.1mΩ最大漏極-源極導(dǎo)通電阻，比東芝目前100V產(chǎn)品“TPH3R70APL”低16%[2]。通過同樣的比較，TPH3R10AQM將安全工作區(qū)擴(kuò)展了76%[3]，使其適合線性
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東芝推出采用超級結(jié)結(jié)構(gòu)的600V N溝道功率MOSFET

中國上海，2023年6月13日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進(jìn)一步擴(kuò)充了N溝道功率MOSFET系列產(chǎn)品線。該器件采用超級結(jié)結(jié)構(gòu)，耐壓600V，適用于數(shù)據(jù)中心、開關(guān)電源和光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器。該新產(chǎn)品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產(chǎn)品，于今日開始批量出貨。通過對柵極設(shè)計(jì)和工藝進(jìn)行優(yōu)化，與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產(chǎn)品相比，600V DTMOSVI系列產(chǎn)品的單位面積漏源導(dǎo)通電阻降
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東芝的新款150V N溝道功率MOSFET具有業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻和改進(jìn)的反向恢復(fù)特性

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工藝，可用于工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源，涵蓋數(shù)據(jù)中心和通信基站等電源應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。TPH9R00CQ5具有行業(yè)領(lǐng)先的[2]9.0mΩ（最大值）的低漏源導(dǎo)通電阻，與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品“TPH1500CNH1[3]”相比降低了約42%。與此同時，與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品“TPH9R00CQH4[4]”相比，反向恢復(fù)電荷減少約74%，反向恢復(fù)[5]時間縮短約44
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英飛凌推出PQFN封裝、雙面散熱、25-150V OptiMOS?源極底置功率MOSFET

未來電力電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)將持續(xù)推進(jìn)，以實(shí)現(xiàn)最高水平的性能和功率密度。為順應(yīng)這一發(fā)展趨勢，英飛凌科技有限公司近日推出了全新的3.3 x 3.3 mm2?PQFN 封裝的源極底置功率MOSFET，電壓范圍涵蓋25-150 V，并且有底部散熱（BSC）和雙面散熱（DSC）兩種不同的結(jié)構(gòu)。該新產(chǎn)品系列在半導(dǎo)體器件級層面做出了重要的性能改進(jìn)，為DC-DC功率轉(zhuǎn)換提供了極具吸引力的解決方案，同時也為服務(wù)器、通信、OR-ing、電池保護(hù)、電動工具以及充電器應(yīng)用的系統(tǒng)創(chuàng)新開辟了新的可能性。該新產(chǎn)品系列采用了英飛凌
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東芝電子元件及存儲裝置發(fā)布150V N溝道功率MOSFET

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，簡稱“東芝”）推出了150V N溝道功率MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）“TPH9R00CQH”。該產(chǎn)品采用最新一代(*1)工藝“U-MOSX-H”，適用于工業(yè)設(shè)備的開關(guān)電源，包括部署在數(shù)據(jù)中心和通信基站的設(shè)備。3月31日開始出貨。TPH9R00CQH的漏極-源極導(dǎo)通電阻比TPH1500CNH低大約42%，后者是一款采用了當(dāng)前U-MOSVIII-H工藝的15
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功率MOSFET輸出電容的非線性特性

本文主要分析了功率MOSFET的輸出電容和米勒電容的定義以及他們非線性特性的表現(xiàn)形態(tài)，探討了影響這二個電容的相關(guān)因素，闡述了耗盡層電荷濃度非線性變化以及耗盡層厚度增加輸出電容和米勒電容的非線性特性的原因。
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功率MOSFET的參數(shù)那么多，實(shí)際應(yīng)用中該怎么選？

功率 MOSFET也有兩年多時間了，這方面的技術(shù)文章看了不少，但實(shí)際應(yīng)用選型方面的文章不是很多。在此，根據(jù)學(xué)到的理論知識和實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。
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儒卓力提供具有最高功率密度和效率的英飛凌OptiMOS? 功率MOSFET

由于具有最低的導(dǎo)通電阻(RDS(on))，這些BiC MOSFET能夠以良好的性價(jià)比降低損耗。此外，通管殼(Junction to Case (RthJC)) 的較低熱阻提供了出色的散熱性能，從而帶來更低的滿載運(yùn)作溫度。較低的反向恢復(fù)電荷(Qrr)通過顯著減小電壓過沖來提高系統(tǒng)可靠性，從而最大限度地減少對緩沖電路的需求，同時也減少了工程成本和工作量。這些BiC MOSFET器件的額定溫度為175°，有助于實(shí)現(xiàn)在更高的工作結(jié)溫下具有更高功率，或者在相同的工作結(jié)溫下具有更長使用壽命的設(shè)計(jì)。此外，隨著額定溫度的
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功率MOSFET安全工作區(qū)，真的安全嗎？

本文論述了功率MOSFET數(shù)據(jù)表中安全工作區(qū)每條曲線的含義，詳細(xì)說明最大的脈沖漏極電流的定義。分析了基于環(huán)境溫度、最大允許結(jié)溫和功耗計(jì)算的安全工作區(qū)不能作為實(shí)際應(yīng)用中MOSFET是否安全的標(biāo)準(zhǔn)原因。特別說明了功率MOSFET完全工作在線性區(qū)或較長的時間工作在線性區(qū)的應(yīng)用中，必須采用實(shí)測的安全工作區(qū)理由。
關(guān)鍵字：功率MOSFET 安全工作區(qū) 線性區(qū) 熱電效應(yīng) 201903

功率MOSFET的結(jié)構(gòu),工作原理及應(yīng)用

“MOSFET(場效應(yīng)管)”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的縮寫，譯成中文是“金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導(dǎo)體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(場效應(yīng)管)(Power MOSFET(場效應(yīng)管))是指它能輸出較大的工作電流
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Vishay：創(chuàng)新才會吸引注重速度和安全的本土車企

　　Vishay(威世)在“2016慕尼黑上海電子展”上展出了眾多創(chuàng)新成果，包括無源元件、二極管、功率MOSFET和光電子器件等，并特辟了汽車電子展示區(qū)，展出了高效和高可靠性汽車電子應(yīng)用。汽車電子展區(qū)的三大亮點(diǎn)　　Vishay展示了3套特地從德國運(yùn)來的與汽車電子相關(guān)的demo(演示)，分別是：　　? 用于48V板網(wǎng)的馬達(dá)驅(qū)動裝置(48V/150W)，特點(diǎn)是用于輕混動力系統(tǒng)的電動機(jī)驅(qū)動裝置;功率可達(dá)10 kW。該裝置所有部分由Vishay獨(dú)立設(shè)計(jì)完成，可以提供馬達(dá)驅(qū)動的電流、轉(zhuǎn)速等調(diào)整?！　?jù)悉，48V在歐
關(guān)鍵字： Vishay 無源元件二極管功率MOSFET 光電子器件 201605

功率MOSFET的由來及結(jié)構(gòu)原理淺談

什么是功率MOSFET我們都懂得如何利用二極管來實(shí)現(xiàn)開關(guān)，但是，我們只能對其進(jìn)行開關(guān)操作，而不能逐漸控制...
關(guān)鍵字：功率MOSFET IGBT 二極管

Vishay在2013中國電子展成都站將展出其最新的業(yè)界領(lǐng)先技術(shù)

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，將在6月20至22日成都世紀(jì)城新國際會展中心舉行的2013中國電子展成都站（夏季會）上展出其全線技術(shù)方案。Vishay的展位在3號館A214，展示亮點(diǎn)是其最新的業(yè)界領(lǐng)先的創(chuàng)新產(chǎn)品，包括無源元件、二極管、功率MOSFET、功率IC和光電子產(chǎn)品。在2013中國電子展上，Vishay Siliconix將展出在4.5V柵極電壓下最大導(dǎo)通電阻低至0.00135Ω的TrenchFET? Gen IV MOSFET，提高效
關(guān)鍵字：無源元件二極管功率MOSFET

常用功率器件MOSFET基礎(chǔ)介紹

常用功率器件MOSFET基礎(chǔ)介紹,我們都懂得如何利用二極管來實(shí)現(xiàn)開關(guān)，但是，我們只能對其進(jìn)行開關(guān)操作，而不能逐漸控制信號流。此外，二極管作為開關(guān)取決于信號流的方向;我們不能對其編程以通過或屏蔽一個
關(guān)鍵字：功率MOSFET 二極管

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功率mosfet介紹

　　“MOSFET”是英文metal-oxide- semicONductor field effect transistor的縮寫，意即“金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管”，功率MOSFET即為以金屬層M的柵極隔著氧化層O利用電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體S的場效應(yīng)晶體管。除少數(shù)應(yīng)用于音頻功率放大器，工作于線性范圍，大多數(shù)用作開關(guān)和驅(qū)動器，工作于開關(guān)狀態(tài)，耐壓從幾十伏到上千伏，工作電流可達(dá)幾安培到幾十安培。 [ 查看詳細(xì) ]

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