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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 功率集成電路

功率集成電路 文章 最新資訊

一種用于驅動高邊功率開關的電荷泵電路

  • 任? 立? 張國俊 （電子科技大學?電子薄膜與集成器件國家重點實驗室，四川?成都??610054）摘? 要：提出了一種新型的電荷泵電路設計，該設計利用電容電壓不能突變的原理，設計了一種可以用來驅動 高邊功率開關管柵極電壓的電荷泵結構。采用該結構后的高邊功率管的柵極電壓，可以在控制信號開啟后很短 的時間內，將柵極電壓迅速抬升至電源電壓以上，確保功率開關管可以正常導通。通過調整輸入方波的頻率， 該結構的電壓抬升時間可以根據不同的工藝水平和工作環(huán)境進行調整，本文也整理了不同的輸入頻率和抬升時 間之間的關系。&n
  • 關鍵字： 202003  電荷泵  功率開關  功率集成電路  高邊驅動  

英飛凌在包含功率集成電路市場保持領先地位

  • 　　全球能源需求不斷增長，其推動因素包括工業(yè)、交通和民用領域的電氣化，以及用電設備數量的攀升。這帶來了對高能效功率半導體需求的增長。在發(fā)電、輸電或用電環(huán)節(jié)都需要用到功率半導體，這樣，可以盡可能提高電源電機等用電設備，新能源發(fā)電的功率變化和輸配電系統(tǒng)的能源效率。業(yè)內市場分析機構IHS Markit顯示英飛凌科技股份公司為2017年功率半導體全球市場領導者?！　∮w凌在包含功率集成電路的整個市場保持領先地位，并實現(xiàn)了整個行業(yè)最大的自然增長。在分立器件和模塊細分市場，英飛凌已連續(xù)十五次蟬聯(lián)市場第一的殊榮，其市場
  • 關鍵字： 英飛凌  功率集成電路  

SJ-LDMOST中的襯底輔助耗盡效應

  • 本文分析了SJ-LDMOST中襯底輔助耗盡效應的產生機理。文中將業(yè)界消除襯底輔助耗盡效應的主要方法分成兩類，并提出消除襯底輔助耗盡效應的途徑
  • 關鍵字： SJ-LDMOST  功率集成電路  201112  
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功率集成電路介紹

　　采用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、二極管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質基片上，然后封裝在一個管殼內，成為具有所需電路功能的微型結構；其中所有元件在結構上已組成一個整體，這樣，整個電路的體積大大縮小，且引出線和焊接點的數目也大為減少，從而使電子元件向著微小型化、低功耗和高可靠性方面邁進了一大步。集成電路具有體積小，重量輕，引出線和焊接點少，壽 [ 查看詳細 ]

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