首頁(yè)  資訊  商機(jī)   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會(huì)展  EETV  百科   問(wèn)答  電路圖  工程師手冊(cè)   Datasheet  100例   活動(dòng)中心  E周刊閱讀   樣片申請(qǐng)
EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 功率半導(dǎo)體

功率半導(dǎo)體 文章 最新資訊

日本電子巨頭羅姆將量產(chǎn)下一代半導(dǎo)體:提高用電效率、增加電動(dòng)車?yán)m(xù)航里程

  • 據(jù)日本共同社日前報(bào)道, 日本電子零部件巨頭羅姆(ROHM)將于今年12月量產(chǎn)下一代功率半導(dǎo)體,以碳化硅(SiC)為原材料。據(jù)悉,羅姆花費(fèi)約20年推進(jìn)研發(fā)碳化硅半導(dǎo)體。新一代半導(dǎo)體可讓可提高機(jī)器運(yùn)轉(zhuǎn)的用電效率, 若裝在純電動(dòng)汽車上,續(xù)航里程可提升一成,電池體積也可更小。據(jù)悉,羅姆將在福岡縣筑后市工廠今年開設(shè)的碳化硅功率半導(dǎo)體專用廠房實(shí)施量產(chǎn),還計(jì)劃為增產(chǎn)投資最多2200億日元(約合人民幣114億元),并將2025年度的碳化硅銷售額上調(diào)至1100億日元。公開資料顯示, 碳化硅具備
  • 關(guān)鍵字: 羅姆  功率半導(dǎo)體  碳化硅  新能源車  

株洲中車時(shí)代功率半導(dǎo)體器件核心制造產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目開工

  • 據(jù)石峰發(fā)布消息顯示,10月28日,株洲市中車時(shí)代功率半導(dǎo)體器件核心制造產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目開工。據(jù)悉,該項(xiàng)目位于株洲市石峰區(qū)軌道交通雙創(chuàng)園內(nèi),占地約266畝,計(jì)劃總投資逾52億元,項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)后,可新增年產(chǎn)36萬(wàn)片8英寸中低壓組件基材的生產(chǎn)能力,產(chǎn)品主要面向新能源發(fā)電及工控家電領(lǐng)域。時(shí)代電氣9月公告稱,控股子公司株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體有限公司,擬投資中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目,包括中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化(宜興)一期建設(shè)項(xiàng)目和中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化(株洲)建設(shè)項(xiàng)目(以下簡(jiǎn)稱“株洲子項(xiàng)目”),項(xiàng)目投資總額約1,111,869
  • 關(guān)鍵字: 中車時(shí)代  功率半導(dǎo)體  

英飛凌在匈牙利設(shè)立新廠 擴(kuò)充大功率半導(dǎo)體模塊產(chǎn)能

  • 英飛凌科技(Infineon)于匈牙利采格萊德設(shè)立新廠,用于大功率半導(dǎo)體模塊的組裝和測(cè)試,以推動(dòng)作為全球碳減排關(guān)鍵的汽車電動(dòng)化進(jìn)程。此外,英飛凌還進(jìn)一步擴(kuò)大了投資,提高大功率半導(dǎo)體模塊的產(chǎn)能,廣泛用于風(fēng)力發(fā)電機(jī)、太陽(yáng)能模塊以及高能效馬達(dá)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用,推動(dòng)綠色能源的發(fā)展。英飛凌營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)Rutger Wijburg表示,英飛凌遵循的是長(zhǎng)期可持續(xù)增長(zhǎng)的發(fā)展道路。在低碳化和數(shù)字化趨勢(shì)的推動(dòng)下,英飛凌半導(dǎo)體解決方案的市場(chǎng)需求不斷增長(zhǎng)。采格萊德工廠為推動(dòng)綠色能源的發(fā)展作出了重要貢獻(xiàn),新工廠的建設(shè)將進(jìn)一步助力英飛凌滿足日益
  • 關(guān)鍵字: 英飛凌科技  功率半導(dǎo)體  

功率半導(dǎo)體組件的主流爭(zhēng)霸戰(zhàn)

  • 功率半導(dǎo)體組件與電源、電力控制應(yīng)用有關(guān),特點(diǎn)是功率大、速度快,有助提高能源轉(zhuǎn)換效率,多年來(lái),功率半導(dǎo)體以硅(Si)為基礎(chǔ)的芯片設(shè)計(jì)架構(gòu)成為主流,碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等第三類半導(dǎo)體材料出現(xiàn),讓功率半導(dǎo)體組件的應(yīng)用更為多元,效率更高。MOSFET與IGBT雙主流各有痛點(diǎn)高功率組件應(yīng)用研發(fā)聯(lián)盟秘書長(zhǎng)林若蓁博士(現(xiàn)職為臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)研究院研究一所副所長(zhǎng))指出,功率半導(dǎo)體組件是電源及電力控制應(yīng)用的核心,具有降低導(dǎo)通電阻、提升電力轉(zhuǎn)換效率等功用,其中又以MOSFET(金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管)與IGBT(絕緣
  • 關(guān)鍵字:   碳化硅  氮化鎵  功率半導(dǎo)體  

功率半導(dǎo)體冷知識(shí)之二:IGBT短路時(shí)的損耗

  • IGBT主要用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和各類變流器,IGBT的抗短路能力是系統(tǒng)可靠運(yùn)行和安全的保障之一,短路保護(hù)可以通過(guò)串在回路中的分流電阻或退飽和檢測(cè)等多種方式實(shí)現(xiàn)。IGBT是允許短路的,完全有這樣的底氣,EconoDUAL?3 FF600R12ME4 600A 1200V IGBT4的數(shù)據(jù)手冊(cè)是這樣描述短路能力的,在驅(qū)動(dòng)電壓不超過(guò)15V時(shí),短路電流典型值是2400A,只要在10us內(nèi)成功關(guān)斷短路電流,器件不會(huì)損壞。IGBT的短路承受能力為短路保護(hù)贏得時(shí)間,驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路可以從容安全地關(guān)斷短路電流。短路能力不是免費(fèi)的器
  • 關(guān)鍵字: 英飛凌  IGBT  功率半導(dǎo)體  

啟方半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體用0.18微米高壓BCD工藝開始量產(chǎn)

  • 韓國(guó)唯一一家純晶圓代工廠啟方半導(dǎo)體(Key Foundry)今天宣布其0.18微米高壓BCD(雙極-CMOS-DMOS)工藝已經(jīng)開始量產(chǎn)。  BCD是一種單片集成工藝技術(shù),它將用于模擬信號(hào)控制的雙極器件、用于數(shù)字信號(hào)控制的CMOS和用于高壓處理的DMOS同時(shí)制作在同一個(gè)芯片上。這種工藝適用于各種功率半導(dǎo)體產(chǎn)品,具有高電壓、高可靠性、低電子干擾等優(yōu)點(diǎn)。近年來(lái),隨著電子設(shè)備系統(tǒng)尺寸的縮小和功率效率的提高變得越來(lái)越重要,對(duì)合適的功率半導(dǎo)體的需求也越來(lái)越大,因此對(duì)BCD的需求也在增加。啟方半導(dǎo)體為工作電
  • 關(guān)鍵字: 啟方半導(dǎo)體  功率半導(dǎo)體  0.18微米  高壓BCD  

東芝新建12吋晶圓廠 擴(kuò)大功率半導(dǎo)體產(chǎn)能

  • 東芝(Toshiba)日前宣布,將在日本石川縣建造一個(gè)新的12吋(300mm)晶圓制造廠,主要用于生產(chǎn)功率半導(dǎo)體。該廠預(yù)計(jì)于2024財(cái)年開始量產(chǎn),整體供應(yīng)的產(chǎn)能將會(huì)是目前的2.5倍。 東芝指出,新晶圓廠的建設(shè)將分兩個(gè)階段進(jìn)行,第一階段的生產(chǎn)計(jì)劃在 2024 財(cái)年開始。當(dāng)?shù)谝浑A段的生產(chǎn)滿載時(shí),東芝的功率半導(dǎo)體產(chǎn)能將是之前的2.5 倍(2021財(cái)年)。東芝表示,功率半導(dǎo)體是管理和降低各種電子設(shè)備的功耗以及實(shí)現(xiàn)碳中和社會(huì)的重要組件。目前汽車電子和工業(yè)設(shè)備自動(dòng)化的需求正在擴(kuò)大,對(duì)低壓MOSFET(金屬氧
  • 關(guān)鍵字: 東芝  12吋晶圓廠  功率半導(dǎo)體  

功率半導(dǎo)體:新能源需求引領(lǐng),行業(yè)快速發(fā)展

  • 功率半導(dǎo)體:市場(chǎng)空間大,細(xì)分品類多1.1. 簡(jiǎn)介:能源轉(zhuǎn)換的核心器件,細(xì)分品類眾多功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心,主要指能夠耐 受高電壓或承受大電流的半導(dǎo)體分立器件,主要用于改變電子裝置中 電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等。功率半導(dǎo)體主要起源于 1904 年第一個(gè)二極管的誕生,而 1957 年的美國(guó) 通用電氣公司發(fā)表的第一個(gè)晶閘管,標(biāo)志著電子電力技術(shù)的誕生; 1970 年代,功率半導(dǎo)體進(jìn)入快速發(fā)展時(shí)期,GTO、BJT 和 MOSFET 的 快速發(fā)展,標(biāo)志著第二代電子電力器件的誕生。之后 1980
  • 關(guān)鍵字: 功率半導(dǎo)體  新能源  

碳化硅在新能源汽車中的應(yīng)用現(xiàn)狀與導(dǎo)入路徑

  • 碳化硅具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率等特點(diǎn),可以很好地滿足新能源汽車電動(dòng)化發(fā)展趨勢(shì),引領(lǐng)和加速了汽車電動(dòng)化進(jìn)程,對(duì)新能源汽車發(fā)展具有重要意義。我國(guó)新能源汽車正處于市場(chǎng)導(dǎo)入期到產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)期過(guò)渡的關(guān)鍵階段,汽車產(chǎn)銷量、保有量連續(xù)6年居世界首位,在全球產(chǎn)業(yè)體系當(dāng)中占了舉足輕重的地位。新能源汽車產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展,極大地推動(dòng)了碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展與技術(shù)創(chuàng)新,為碳化硅產(chǎn)品的技術(shù)驗(yàn)證和更新迭代提供了大量數(shù)據(jù)樣本。
  • 關(guān)鍵字: 碳化硅  新能源汽車  功率半導(dǎo)體  202110  MOSFET  SiC  

英飛凌高層談發(fā)展策略及經(jīng)營(yíng)理念

  • 2021年9月,英飛凌科技宣布位于奧地利菲拉赫的300 mm薄晶圓功率半導(dǎo)體芯片工廠正式啟動(dòng)運(yùn)營(yíng)。這座以“面向未來(lái)”為座右銘的芯片工廠,總投資額為16億歐元(1歐元約為人民幣7.5元),是歐洲微電子領(lǐng)域同類中最大規(guī)模的項(xiàng)目之一,也是現(xiàn)代化程度最高的半導(dǎo)體器件工廠之一。英飛凌為何非常重視功率半導(dǎo)體的發(fā)展?其整體發(fā)展思路是什么?
  • 關(guān)鍵字: 202110  功率半導(dǎo)體  工廠  

英飛凌奧地利12 吋功率半導(dǎo)體廠啟用

  • 英飛凌科技(Infineon)今日宣布,正式啟用其位于奧地利菲拉赫的 12 吋薄晶圓功率半導(dǎo)體芯片廠。這座12吋廠采用當(dāng)今最高的建筑工藝,大量的使用再生能源與節(jié)能設(shè)計(jì),一落成就是座零碳排的現(xiàn)代化廠房,同時(shí)它也充分結(jié)合了自動(dòng)化與數(shù)字化控制的技術(shù),并使用人工智能方案來(lái)進(jìn)行維護(hù),以達(dá)成最高的營(yíng)運(yùn)效率。 英飛凌的資深員工,將第一片出廠的晶圓遞交給執(zhí)行長(zhǎng)為了實(shí)現(xiàn)這座高科技半導(dǎo)體廠房,英飛凌共募集了16 億歐元的投資額,是歐洲微電子領(lǐng)域中最大規(guī)模的投資項(xiàng)目之一,也是現(xiàn)代化程度最高的半導(dǎo)體組件工廠之一。英飛凌
  • 關(guān)鍵字: 英飛凌  12 吋  功率半導(dǎo)體  

SiC大戰(zhàn)拉開帷幕,中國(guó)勝算幾何

  • 近些年,隨著電動(dòng)汽車以及其他系統(tǒng)的增長(zhǎng),碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)正在經(jīng)歷需求的突然激增,因此也吸引了產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)的關(guān)注。在產(chǎn)業(yè)應(yīng)用進(jìn)一步成熟的趨勢(shì)下,SiC的爭(zhēng)奪戰(zhàn)正一觸即發(fā)。碳化硅材料之殤SiC器件成本高的一大原因就是SiC襯底貴,目前,襯底成本大約是加工晶片的50%,外延片是25%,器件晶圓生產(chǎn)環(huán)節(jié)20%,封裝測(cè)試環(huán)節(jié)5%。SiC襯底不止貴,生產(chǎn)工藝還復(fù)雜,與硅相比,碳化硅很難處理、研磨和鋸切,挑戰(zhàn)非常大。所以大多數(shù)企業(yè)都是從Cree、Rohm等供應(yīng)商購(gòu)買襯底。SiC器件廣泛用于光伏逆變器、工
  • 關(guān)鍵字: SiC  功率半導(dǎo)體  

功率半導(dǎo)體-馬達(dá)變頻器內(nèi)的關(guān)鍵組件

  • 全球有約 30% 的發(fā)電量用于驅(qū)動(dòng)工業(yè)應(yīng)用中的馬達(dá),而全球工業(yè)產(chǎn)業(yè)消耗的能源量預(yù)期到 2040 年將成長(zhǎng)一倍。隨著對(duì)能源成本和資源有限的意識(shí)不斷提高,未來(lái)提升驅(qū)動(dòng)馬達(dá)用電效率的需求將會(huì)越來(lái)越顯著。
  • 關(guān)鍵字: IGBT7  SiC MOSFET  馬達(dá)變頻器  功率半導(dǎo)體  英飛凌  

東芝將增產(chǎn)純電動(dòng)車功率半導(dǎo)體,投資約250億日元

  • 日經(jīng)中文網(wǎng)3月10日消息,東芝將在位于日本石川縣的主力工廠引進(jìn)能大量生產(chǎn)純電動(dòng)汽車(EV)等使用的功率半導(dǎo)體的制造設(shè)備。在去碳化潮流下,純電動(dòng)車用半導(dǎo)體需求不斷擴(kuò)大。東芝將投資約250億日元,將石川工廠的產(chǎn)能提高2成。全球只有部分大型半導(dǎo)體廠商使用該設(shè)備來(lái)制造功率半導(dǎo)體。 將電力高效轉(zhuǎn)化成動(dòng)力的功率半導(dǎo)體可以降低純電動(dòng)車等的耗電量。
  • 關(guān)鍵字: 東芝  純電動(dòng)車  功率半導(dǎo)體  

功率半導(dǎo)體行業(yè)專題報(bào)告:新能源汽車重塑功率半導(dǎo)體價(jià)值

  • 汽車“四化”趨勢(shì)明確,對(duì)半導(dǎo)體需求價(jià)值量倍增汽車行業(yè)向電動(dòng)化、智能化、數(shù)字化及聯(lián)網(wǎng)化方向發(fā)展,直接帶動(dòng)汽車 含硅量提升。新能源電動(dòng)汽車的出現(xiàn)意味著傳統(tǒng)汽車的核心競(jìng)爭(zhēng)要素將 被取代,產(chǎn)品價(jià)值鏈被重塑。新能源車中對(duì)于電力控制的需求大幅增加,功率器件中特別是 IGBT 是 工業(yè)控制及自動(dòng)化領(lǐng)域的核心元器件,其通過(guò)信號(hào)指令來(lái)調(diào)節(jié)電路中的 電壓、電流等以實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)調(diào)控的目的,保障電子產(chǎn)品、電力設(shè)備正常運(yùn) 行,同時(shí)降低電壓損耗,使設(shè)備節(jié)能高效。汽車半導(dǎo)體作為汽車電動(dòng)化 關(guān)鍵載體之一,需求價(jià)值成倍增長(zhǎng),據(jù)估算純電
  • 關(guān)鍵字: 功率半導(dǎo)體  新能源汽車  
共166條 4/12 |‹ « 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 » ›|

功率半導(dǎo)體介紹

  《功率半導(dǎo)體 器件 與應(yīng)用》基于前兩章的半導(dǎo)體物理基礎(chǔ),詳細(xì)介紹了目前最主要的幾類功率半導(dǎo)體器件,包括pin二極管、晶閘管、門極關(guān)斷晶閘管、門極換流晶閘管、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和絕緣柵雙極型晶體管。 [ 查看詳細(xì) ]

熱門主題

關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473