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1200V全垂直硅基氮化鎵MOSFET

• 山東大學(xué)和華為技術(shù)有限公司在中國(guó)使用氟（F）離子注入端接（FIT）在全垂直氮化鎵（GaN）硅基硅（Si）溝槽金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）中實(shí)現(xiàn)了1200V擊穿性能[Yuchuan 馬等人，IEEE Electron Device Letters，2025年7月8日在線發(fā)表]。通常，臺(tái)面蝕刻端接 （MET） 用于電隔離 GaN 半導(dǎo)體器件。然而，這會(huì)導(dǎo)致相對(duì)尖銳的拐角，電場(chǎng)往往會(huì)擁擠，導(dǎo)致過(guò)早擊穿。MET-MOS全垂直MOSFET的擊穿電壓約為650V。功率氮化鎵器件正在與碳化硅 （SiC）
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