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光刻 文章 最新資訊

美科學家設計出簡便快速的納米電線制造方法

  • 　　美科學家設計出簡便快速的納米電線制造方法，只需加熱即可將氧化石墨烯轉(zhuǎn)為導電物質(zhì) 　　據(jù)美國物理學家組織網(wǎng)6月10日報道，美國一聯(lián)合研究小組稱，他們在利用石墨烯制造納米電路領域獲得了突破：設計出了簡便、快速的納米電線制造方法，能夠 調(diào)諧石墨烯的電學特征，使氧化石墨烯從絕緣物質(zhì)變成導電物質(zhì)。這被認定為石墨烯電子學領域的一項重要發(fā)現(xiàn)，相關(guān)研究報告發(fā)表在6月11日出版的《科學》雜 志上。 　　納米電路的研究人員之所以對于石墨烯的研究頗具熱忱，是因為與硅相比，電子在石墨烯內(nèi)移動時會受到更小的阻力，而硅晶體管
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SUSS MicroTec推出面向LED市場的專用光刻系統(tǒng)

  • 　　SUSS MicroTec，全球知名的半導體行業(yè)及相關(guān)設備和工藝解決方案供應商，推出新一代MA100e光刻機，專用于高亮度發(fā)光二極管(HB-LEDs)生產(chǎn)。MA100e基于SUSS MicroTec光刻機經(jīng)典設計，具有最大至4英寸的載片能力，每小時產(chǎn)量可達145片，業(yè)界領先。 　　電視機、顯示器等對LED背光的需求急劇增長，LED設備生產(chǎn)商必須盡力滿足這一市場增長需要。LED行業(yè)對成本很敏感，所以SUSS MicroTec設計的MA100e Gen2自動光刻機在成本控制方面極具競爭力。設備配置的高照
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新型高科技芯片有望使海水變成淡水

  • 　　[導讀]將海水變?yōu)槿祟惪梢燥嬘玫牡恢笔且粋€吃力不討好的差事，它耗能大、水質(zhì)又差，現(xiàn)在MIT的科學家們制造的芯片可以更好地完成這個工作。 　　雖然地球表面有超過70%被水覆蓋，但是我們可以直接使用的淡水卻并不算多。海洋中的苦澀咸水占了總水量的97.5%，剩下的淡水又大部分集中在南北極和冰川上。數(shù)百萬年來，人類只能依靠僅占總水量0.2%的淡水生存。 　　將海水變?yōu)榈莻€歷史悠久的課題。雖然早在1954年人們就修建了大規(guī)模的海水淡化廠，但是直到目前為止，最常見的海水脫鹽方式依然是半透膜反滲透或者多
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IMEC讓前TSMC歐洲總裁來加強IC業(yè)務

  • 　　歐洲半導體研究所IMEC已任命前TSMC歐洲總裁Kees den Otter為其副總裁, 掌管其IC市場發(fā)展。 　　可能原因是出自研究所要更多的為工業(yè)化服務, 并創(chuàng)造應有的價值。顯然近年來其pilot生產(chǎn)線中EUV光刻研發(fā)的 費用高聳,也難以為繼。 　　近幾年來IMEC與TSMC的關(guān)系靠近, 之前它的進步主要依靠Alcatels Mietec, 之后是Philips及NXP。隨著NXP趨向fab lite及TSMC反而增強它在全球的超級能力,IMEC與TSMC在各個方面加強合作。 　　IMEC作
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IC設備國產(chǎn)化多點突破二手市場尋求整合

  • 　　“工欲善其事，必先利其器。”集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展離不開裝備制造業(yè)的支撐，而裝備業(yè)的發(fā)展水平也是衡量一個國家集成電路產(chǎn)業(yè)總體水平的重要標準。近年來，我國集成電路裝備業(yè)取得了長足的進步，12英寸設備在多個工序?qū)崿F(xiàn)國產(chǎn)化。但由于8英寸、12英寸集成電路生產(chǎn)線在我國仍有很大的發(fā)展空間，這也給國外的二手設備提供了用武之地，同時，也給從事設備翻新的企業(yè)提供了發(fā)展機遇。 　　12英寸國產(chǎn)設備進展顯著 　　●多種核心裝備實現(xiàn)國產(chǎn)化 　　●12英寸65納米是下階段重點 　　一條標準的集成電
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張忠謀公開臺積電20nm制程技術(shù)部分細節(jié)

  • 　　臺積電公司宣布他們將于28nm制程之后跳過22nm全代制程，直接開發(fā)20nm半代制程技術(shù)。在臺積電公司日前舉辦的技術(shù)會展上，臺積電公司展示了部分 20nm半代制程的一些技術(shù)細節(jié)，20nm制程將是繼28nm制程之后臺積電的下一個主要制程平臺，另外，20nm之后，臺積電還會跳過18nm制程。 　　根據(jù)臺積電會上展示的信息顯示，他們的20nm制程將采用10層金屬互聯(lián)技術(shù)，并仍然采用平面型晶體管結(jié)構(gòu)，增強技術(shù)方面則會使用HKMG/應變硅和較新的“low-r”技術(shù)(即由銅+low-
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未來三年內(nèi)存價格將持續(xù)攀升

  • 　　DRAMeXchange傳來噩耗稱內(nèi)存芯片的價格在未來三年內(nèi)將持續(xù)走高。這家市場分析公司將內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的興衰周期定為3年左右，據(jù)該公司的分析師表示，2001-2003年，內(nèi)存業(yè)者一直處在虧損期，而2004-2006年則恢復為持續(xù)盈利的狀態(tài)，2007-2009年間則再度出現(xiàn)虧損期，因此他們預計從2010年開始，在全球經(jīng)濟危機緩和，Windows7日漸流行等因素的影響下，內(nèi)存業(yè)者將再度扭虧為盈，進入新的一輪三年盈利期。 　　不過內(nèi)存業(yè)者仍然面臨另外一個重要的難題，他們要將制程水品提升到50nm以上級別則一般
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ASML第一季訂單量繼續(xù)增長

  • 　　荷蘭半導體設備生產(chǎn)商ASML的訂單狀況顯示今年第一季情況繼續(xù)好轉(zhuǎn)，投資者將詳細審視該公司業(yè)績，以尋找芯片行業(yè)結(jié)構(gòu)性復蘇的跡象。 　　分析師將該公司的訂單情況視作英特爾和臺積電等大型芯片生產(chǎn)商業(yè)績預估的風向標。 　　根據(jù)路透調(diào)查，第一季半導體光刻設備訂單料為43筆，多于前一季的40筆。 　　ASML是全球最大的光刻設備生產(chǎn)商，其競爭對手包括日本的Nikon和佳能。 　　分析師預計ASML第一季凈利為9,900萬歐元(1.324億美元)，營收為7.13億歐元。15位分析師的營收預估范圍為5.90億
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Vistec Lithography宣布與華中科技大簽署戰(zhàn)略合作伙伴協(xié)議

  • 　　電子束光刻系統(tǒng)的知名廠商Vistec Lithography公司近日宣布他們與中國武漢華中科技大學光電工程學院簽署了戰(zhàn)略合作伙伴協(xié)議。武漢華中科技大學是大陸國家級重點院校之一，而 Vistec Lithography則是電子束光刻設備的領先廠商，按協(xié)議規(guī)定，兩家將在納米光刻技術(shù)研究和教學領域開展合作。 　　這次合作的核心是Vistec公司提供給華中科技大學的EBPG5000pES電子束光刻系統(tǒng)，裝備這套系統(tǒng)之后，華中科技大學在教學，科研以及對外合作方面的實力將如虎添翼。華中科技大學稱：“
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DRAMeXchange：未來三年內(nèi)存價格將持續(xù)攀升

  • 　　DRAMeXchange傳來噩耗稱內(nèi)存芯片的價格在未來三年內(nèi)將持續(xù)走高。這家市場分析公司將內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的興衰周期定為3年左右，據(jù)該公司的分析師表 示，2001-2003年，內(nèi)存業(yè)者一直處在虧損期，而2004-2006年則恢復為持續(xù)盈利的狀態(tài)，2007-2009年間則再度出現(xiàn)虧損期，因此他們 預計從2010年開始，在全球經(jīng)濟危機緩和，Windows7日漸流行等因素的影響下，內(nèi)存業(yè)者將再度扭虧為盈，進入新的一輪三年盈利期。 　　不過內(nèi)存業(yè)者仍然面臨另外一個重要的難題，他們要將制程水品提升到50nm以上級別則
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IBM宣布旗下芯片廠將停用PFOS/PFOA兩種有毒化合物

  • 　　IBM公司近日宣布其名下的芯片制造廠中將停止使用全氟辛烷磺?；衔?PFOS)和全氟辛酸(PFOA)兩種有毒有害化合物。多年前，在歐盟以及其它 一些國家的環(huán)保部門出臺限制使用這兩種化合物的法規(guī)之后，美國環(huán)保署也出臺了限制在消費級產(chǎn)品的生產(chǎn)過程中使用這兩種化合物的法規(guī)，這兩種化合物一般用于 防污和防潮處理。 　　不過在半導體制造產(chǎn)業(yè)中，仍允許使用這兩種化合物，半導體制造的光刻和蝕刻工步需要少量使用這兩種化合物。經(jīng)過10多年的努力，IBM終于找到了這兩種有毒化合物的替代用品。 　　IBM公司主管微電
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Intel欲將193nm沉浸式光刻技術(shù)延用至11nm制程節(jié)點

  • 　　在本月21日舉辦的LithoVision2010大會上，Intel公司公布了其未來幾年的光刻技術(shù)發(fā)展計劃，按這份驚人的計劃顯示，Intel計劃將 193nm波長沉浸式光刻技術(shù)延用至11nm制程節(jié)點，這表明他們再次后延了其極紫外光刻(EUV)技術(shù)的啟用日期。 　　Intel實驗室中的EUV曝光設備 　　根據(jù)會上Intel展示的光刻技術(shù)發(fā)展路線圖顯示，目前Intel 45nm制程工藝中使用的仍是193nm干式光刻技術(shù)，而32nm制程工藝則使用的是193nm沉浸式光刻技術(shù)，沉浸式光刻工具方面，Int
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三項半導體新技術(shù)投入使用的時間將后延至2015-2016年

  • 　　半導體技術(shù)市場權(quán)威分析公司IC Insights近日發(fā)布的報告顯示，按照他們的估計，450mm技術(shù)以及極紫外光刻技術(shù)(EUV)投入實用的時間點將再度后延。 　　據(jù)IC Insights預計，基于450mm技術(shù)的芯片廠需要到2015-2016年左右才有望開始實用化建設--比預期的時間點后延了兩年左右。另外，預計16nm級別制程技術(shù)中也不會應用EUV光刻技術(shù)，這項技術(shù)會被后延到2015年，在13nm級別的工藝制程中投入實用。 　　另外一項較新的半導體制造技術(shù)，可用于制造3D堆疊式芯片的硅通孔技術(shù)(TS
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北美半導體設備訂單出貨保持平穩(wěn)增長 訂單出貨比微跌至1.06

  • 　　SEMI日前公布了2009年11月份北美半導體設備制造商訂單出貨比報告。按三個月移動平均額統(tǒng)計，11月份北美半導體設備制造商訂單額為7.905億美元，訂單出貨比為1.06。訂單出貨比為1.06意味著該月每出貨價值100美元的產(chǎn)品可獲得價值106美元的訂單。 　　報告顯示，11月份7.905億美元的訂單額較10月份7.563億美元最終額增長4.5%，較2008年11月份的7.838億美元最終額增長1%。 　　與此同時，2009年11月份北美半導體設備制造商出貨額為7.437億美元，較10月份6.94
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2012年前內(nèi)存芯片廠商的重點將不會放在產(chǎn)能拓展方面

  • 　　據(jù)iSuppli公司分析，由于全球內(nèi)存芯片廠商在2005-2007年間已經(jīng)耗費了大量資本進行設備投資和產(chǎn)能擴展,因此現(xiàn)有的產(chǎn)能已經(jīng)可以滿足2012年的市場需求，這便意味著在未來兩年之內(nèi)全球內(nèi)存芯片廠商的主要精力將不會放在產(chǎn)能拓展方面。 　　”2005-2007年間，內(nèi)存芯片廠商共花費了500億美元的資金來采購新的制造設備和建設新的芯片廠，這筆花費已經(jīng)占到同期整個內(nèi)存產(chǎn)業(yè)營收的55%左右。“iSuppli公司的高級內(nèi)存分析師Mike Howard表示：”由于向這
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光刻介紹

光刻 　　利用照相復制與化學腐蝕相結(jié)合的技術(shù)，在工件表面制取精密、微細和復雜薄層圖形的化學加工方法。光刻原理雖然在19世紀初就為人們所知，但長期以來由于缺乏優(yōu)良的光致抗蝕劑而未得到應用。直到20世紀50年代，美國制成高分辨率和優(yōu)異抗蝕性能的柯達光致抗蝕劑(KPR)之后,光刻技術(shù)才迅速發(fā)展起來，并開始用在半導體工業(yè)方面。光刻是制造高級半導體器件和大規(guī)模集成電路的關(guān)鍵工藝之一，并已用于刻劃光柵、 [ 查看詳細 ]

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