體效應(yīng) 文章 最新資訊

什么是MOS的體效應(yīng)（body bias）

• 通常，我們將MOS管視為一個(gè)三端器件，包括柵極、源極和漏極。然而，襯底是其隱藏的第四個(gè)端子。下圖為一個(gè)nMOS，g、s、d、b分別代表柵極、源極、漏極和襯底。上圖為以nMOS為例，簡(jiǎn)述其關(guān)斷、線性區(qū)和飽和的條件絕大多數(shù)情況下，設(shè)計(jì)將襯底和源極連在一起，但是有時(shí)候出于性能考慮（如在芯片工作模式下實(shí)現(xiàn)高Ion和在芯片睡眠模式下實(shí)現(xiàn)低Ioff）會(huì)通過(guò)施加體偏置來(lái)動(dòng)態(tài)調(diào)整晶體管的閾值電壓。大多數(shù)情況下我們將閾值電壓（Vt）視為常數(shù)。然而，Vt隨源極電壓的增加而增加，隨襯底電壓的增加而減小，隨漏極電壓的增加而減小，
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