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上橋 smartfet 驅(qū)動(dòng)器
上橋 smartfet 驅(qū)動(dòng)器 文章 最新資訊
英特爾筆記本專用SSD硬盤(pán)30天內(nèi)上市
- 英特爾NAND產(chǎn)品事業(yè)部今天發(fā)布了高性能固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(SSD)的產(chǎn)品線規(guī)劃和發(fā)布時(shí)間表。固態(tài)驅(qū)動(dòng)器適用于移動(dòng)與臺(tái)式機(jī)客戶端、企業(yè)級(jí)服務(wù)器、存儲(chǔ)設(shè)備和工作站。這一系列產(chǎn)品稱作英特爾高性能SATA固態(tài)驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品線,是基于固態(tài)閃存的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備,用于存儲(chǔ)計(jì)算機(jī)中的數(shù)據(jù),可模擬并替代某些計(jì)算機(jī)中的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器。 與傳統(tǒng)的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器(HDD)和目前市場(chǎng)上的固態(tài)驅(qū)動(dòng)器相比,英特爾的全新固態(tài)驅(qū)動(dòng)器具有更重要的優(yōu)勢(shì),包括更快速的整體系統(tǒng)響應(yīng)能力和計(jì)算機(jī)開(kāi)/關(guān)啟動(dòng)時(shí)間,卓越的耐用性和可靠性,更長(zhǎng)的電池壽命和更低的企業(yè)
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PAM推出內(nèi)置MOSFET高壓30瓦LED驅(qū)動(dòng)器PAM2842
- PAM(Power Analog Microelectronics)推出內(nèi)置MOSFET高壓30瓦的LED驅(qū)動(dòng)器,采用臺(tái)積電的雙極型CMOS-DMOS(BCD)工藝制成。具有從5.5V 到40V很寬的輸入電壓范圍,它是一個(gè)非常靈活的LED驅(qū)動(dòng)器,可以工作于升壓、降壓、升降壓(SEPIC)三種工作方式。它可以利用內(nèi)置的MOSFET來(lái)驅(qū)動(dòng)10個(gè)3瓦的LED,或者30個(gè)1瓦的LED。由于它在很寬的電壓范圍內(nèi)的恒流特性和95%以上的效率,使它不論是在輸入電壓跌落或很高的環(huán)境溫度時(shí),都能正常工作。因?yàn)槔昧伺_(tái)積
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Avago推出18到33GHz頻帶應(yīng)用高性能驅(qū)動(dòng)放大器
- Avago Technologies(安華高科技)宣布,推出18到33GHz頻帶應(yīng)用高效率線性功率放大器產(chǎn)品。Avago的AMMC/P-6333為具備超高增益和功率,并擁有卓越輸入/輸出回波損耗表現(xiàn)的高性能驅(qū)動(dòng)放大器,這款新放大器的主要設(shè)計(jì)目的是幫助設(shè)計(jì)工程師符合寬帶驅(qū)動(dòng)放大器的需求,同時(shí)不需負(fù)電壓來(lái)達(dá)到更好的射頻性能表現(xiàn)。采裸芯片或表面貼裝封裝供貨,AMMC/P-6333的目標(biāo)市場(chǎng)為包括點(diǎn)對(duì)點(diǎn)無(wú)線電、VSAT以及光纖到府等無(wú)線通信基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用。安華高是為通信、工業(yè)和消費(fèi)類等應(yīng)用領(lǐng)域提供模擬接口零組件
- 關(guān)鍵字: Avago 放大器 驅(qū)動(dòng)器 安華高
Micrel推出4.25Gbps FP/DFB 新型激光驅(qū)動(dòng)器
- 麥克雷爾公司 (Micrel Inc.)推出 4.25Gbps FP/DFB 新型激光二極管驅(qū)動(dòng)器。SY88422L 是一個(gè)供電電壓為 3.3V 的單電源小型激光驅(qū)動(dòng)器,能夠提供高達(dá)90mA 的調(diào)制電流和100mA 的偏置電流。該驅(qū)動(dòng)器與麥克雷爾的 MIC3002 控制器和 SY88403L 4.25G 限幅后置放大器結(jié)合使用,是 FC、GbE、SONET/SDH 和 WDM 等數(shù)據(jù)傳輸率高達(dá)4.25Gbps 的多速率城域網(wǎng) (MAN)、廣域網(wǎng) (WAN)、存儲(chǔ)區(qū)域網(wǎng)絡(luò) (SAN) 和局域網(wǎng) (LAN
- 關(guān)鍵字: Micrel 驅(qū)動(dòng)器 二極管 激光
為功率MOSFET增加自動(dòng)防故障擊穿保護(hù)
- MOSFET作為功率開(kāi)關(guān)元件廣泛應(yīng)用于調(diào)節(jié)器和馬達(dá)控制器。通過(guò)HSVGS監(jiān)測(cè)器來(lái)檢測(cè)HSFET的開(kāi)啟狀態(tài),所以HS_IS_...
- 關(guān)鍵字: 擊穿 功率MOSFET 傳播延遲 監(jiān)測(cè)電路 電流源 低通濾波器 HS_ON LS_EN 故障 驅(qū)動(dòng)器
Maxim推出高壓、高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)器
- Maxim推出高壓、高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)器MAX15018/MAX15019,用于驅(qū)動(dòng)高邊和低邊n溝道MOSFET。器件具有高端(HS)引腳,允許高達(dá)125V的輸入電壓,該指標(biāo)優(yōu)于競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品的105V電壓。MAX15018/MAX15019與工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的HIP2100IB和HIP2101IB引腳兼容,理想用于必須承受100V或更高瞬態(tài)電壓的電信電源產(chǎn)品中,保證足夠的安全裕量。 MAX15018/MAX15019提供3A源出/吸入峰值電流,傳輸延遲僅為35ns (典型值),驅(qū)動(dòng)器之間能夠保證2ns (
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ST推出高集成度RGB LED驅(qū)動(dòng)器單片驅(qū)動(dòng)8個(gè)像素

- 模擬器件的世界領(lǐng)先廠商意法半導(dǎo)體(紐約證券交易所代碼:STM)推出一款驅(qū)動(dòng)電流高達(dá)80mA的24路恒流輸出RGB LED驅(qū)動(dòng)器STP24DP05。在一個(gè)7 x 7mm的 TQFP48封裝內(nèi),新產(chǎn)品效能相當(dāng)于三個(gè)普通的8路輸出驅(qū)動(dòng)器。 由眾多高亮度LED組成的視頻顯示器和廣告牌,采用STP24DP05來(lái)驅(qū)動(dòng),比起輸出通道少的傳統(tǒng)器件更能節(jié)省材料成本。新產(chǎn)品能有效縮小像素間距和LED燈組的間距,因此提高顯示器的分辨率。主要目標(biāo)應(yīng)用包括戶外和室內(nèi)全彩RGB視頻顯示板、LED廣告牌、圖形信息板、彩色交通
- 關(guān)鍵字: ST RGB LED 驅(qū)動(dòng)器
RS422/RS485總線模型分析與應(yīng)用

- 0 引言 RS422/RS485總線接口作為多點(diǎn)、差分?jǐn)?shù)據(jù)傳輸?shù)碾姎庖?guī)范,現(xiàn)已成為業(yè)界應(yīng)用較為廣泛的標(biāo)準(zhǔn)通信接口之一。RS422/RS485標(biāo)準(zhǔn)只對(duì)接口的電氣特性做出了規(guī)定,而不涉及接插件、電纜或協(xié)議,因此,用戶可在此基礎(chǔ)上建立自己的高層通信協(xié)議。 1 基本原理 RS422/RS485標(biāo)準(zhǔn)的全稱為TIA/EIA-422-B和TIA/EIA-485串行通信標(biāo)準(zhǔn)。它們的數(shù)據(jù)信號(hào)均采用差分傳輸方式,也稱作平衡傳輸。這兩者在電氣特性上非常接近,不同之處只是傳輸方式的不同。 RS485的
- 關(guān)鍵字: 總線 通信 驅(qū)動(dòng)器 微處理器
凌力爾特推出100V高端/低端N溝道高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)器

- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高頻、高輸入電源電壓 (100V) MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC4446,用來(lái)驅(qū)動(dòng)雙晶體管正激式轉(zhuǎn)換器中的高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。這個(gè)驅(qū)動(dòng)器與功率 MOSFET 和一個(gè)凌力爾特公司的 DC/DC 控制器一起,可組成一個(gè)完整的高效率雙晶體管正激式轉(zhuǎn)換器,或者可以配置為快速動(dòng)作的高壓 DC 開(kāi)關(guān)。 這個(gè)強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)器以 1.2Ω 下拉阻抗驅(qū)動(dòng)高端 MOSFET 時(shí)可以提供高達(dá) 2.5A 的電流
- 關(guān)鍵字: 凌力爾特 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 轉(zhuǎn)換器
Power Integrations最新推出的LinkSwitch?-II參考設(shè)計(jì)
- 用于高能效功率轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司(NASDAQ:POWI)今日宣布推出一系列新的參考設(shè)計(jì),以幫助LED驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)師有效利用該公司最近推出LinkSwitch-II系列AC-DC功率轉(zhuǎn)換IC。新的參考設(shè)計(jì)(DI-184、DI-185及DI-186)能夠證明LinkSwitch-II IC非常適合設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)高亮度LED的電源和鎮(zhèn)流器。該系列器件具有高精度恒流性能并可降低外部元件數(shù)量,使用它設(shè)計(jì)出的LED鎮(zhèn)流器與現(xiàn)有的轉(zhuǎn)換器技術(shù)相比,設(shè)計(jì)更為簡(jiǎn)單、成本更低
- 關(guān)鍵字: Power Integrations LinkSwitch LED 驅(qū)動(dòng)器
用于保護(hù)精密儀器的緊湊型激光二極管驅(qū)動(dòng)器
- 在精密儀器應(yīng)用中,連續(xù)波激光二極管的驅(qū)動(dòng)需要恒流源。Q2關(guān)斷,對(duì)驅(qū)動(dòng)電流幾乎沒(méi)有影響,直到激光二極管陽(yáng)極工作 ...
- 關(guān)鍵字: 激光二極管 驅(qū)動(dòng)器 恒流源 共模抑制 負(fù)電壓 EDN 關(guān)斷 耗盡型 LinearTechnology 齊納二極管
凌力爾特推出高速同步MOSFET驅(qū)動(dòng)器LTC4447

- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC4447,該器件用來(lái)在同步整流轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲序?qū)動(dòng)高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。這個(gè)驅(qū)動(dòng)器加上功率 MOSFET 和一個(gè)凌力爾特公司的 DC/DC 控制器,就可組成一個(gè)完整的高效率同步穩(wěn)壓器,該穩(wěn)壓器可用作降壓或升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。 LTC4447 在一個(gè) 4V 至 6.5V 的電壓范圍內(nèi)對(duì)上端和下端 MOSFET 柵極進(jìn)行軌至軌驅(qū)動(dòng),并可從一個(gè)高達(dá) 38V 的電
- 關(guān)鍵字: 凌力爾特 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 轉(zhuǎn)換器
線性匹配獨(dú)立電流源與傳統(tǒng)白光LED驅(qū)動(dòng)器解決方案之間的對(duì)比

- 1 背景 早期的手機(jī)均具有較便宜的彩色發(fā)光二極管(LED),用于鍵盤(pán)照明和黑白液晶顯示(LCD)背光照明。在世紀(jì)之交,LED技術(shù)的進(jìn)步實(shí)現(xiàn)了手機(jī)鍵盤(pán)的藍(lán)白光LED照明。白光LED(WLED)只不過(guò)就是帶有特殊涂層的藍(lán)光LED,從而產(chǎn)生白色光波長(zhǎng)。由于WLED可以在LCD顯示器上發(fā)射全色光譜,所以WLED現(xiàn)在為手機(jī)中主要的照明顏色。除了全色LCD背光照明以外,WLED還可用于鍵盤(pán)、軌跡球及控制按鈕照明、相機(jī)快閃和閃光燈。 第一代WLED需要更高的正向電壓(>4.2V)和電流(>2
- 關(guān)鍵字: LED 驅(qū)動(dòng)器 電流源 LCD LDO
線性匹配獨(dú)立電流源與傳統(tǒng)白光LED驅(qū)動(dòng)器解決方案之間的對(duì)比

- WLED 解決方案集成了白光 LED 工藝的優(yōu)點(diǎn)以及創(chuàng)新型節(jié)能方案(例如:環(huán)境光控照明),從而可以在更廣范圍內(nèi)應(yīng)用,并獲得了比過(guò)去任何時(shí)候都更高的效率?,F(xiàn)有的絕大多數(shù) WLED 驅(qū)動(dòng)器解決方案仍然要和電壓升壓驅(qū)動(dòng)器解決方案搭配使用;但是,隨著 WLED 應(yīng)用及技術(shù)的多樣化,WLED 驅(qū)動(dòng)器解決方案的選擇空間也越來(lái)越廣。線性匹配電流源就是這樣的一個(gè)新型解決方案。德州儀器 (TI) 推出的低壓降 (LDO) 線性 WLED 驅(qū)動(dòng)器 TPS7510x 就可以用于驅(qū)動(dòng) WLED。本應(yīng)用手冊(cè)將對(duì)這一新型技術(shù)與現(xiàn)有的
- 關(guān)鍵字: TI WLED 驅(qū)動(dòng)器 白光
使設(shè)備更省電、更耐用的微型硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)新方法
- 本文討論的磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)新方法涉及電壓調(diào)節(jié)、驅(qū)動(dòng)器分區(qū)、接口、電源管理、半導(dǎo)體工藝技術(shù)以及磁盤(pán)保護(hù)等多個(gè)方面。這些方法不僅可降低使用這些驅(qū)動(dòng)器的便攜式消費(fèi)電子產(chǎn)品的功耗,還能提高這些設(shè)備的耐用性。
- 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì) 方法 驅(qū)動(dòng)器 硬盤(pán) 耐用 微型 設(shè)備
上橋 smartfet 驅(qū)動(dòng)器介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條上橋 smartfet 驅(qū)動(dòng)器!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)上橋 smartfet 驅(qū)動(dòng)器的理解,并與今后在此搜索上橋 smartfet 驅(qū)動(dòng)器的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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