三星文章最新資訊

三星未來三年將向半導體、AI等戰(zhàn)略業(yè)務投資240萬億韓元

　　8月24日消息，據(jù)國外媒體報道，周二，三星表示，未來三年，它將向半導體、生物制藥、電信、人工智能（AI）、機器人等戰(zhàn)略業(yè)務投資240萬億韓元（約合2060億美元）?！　∪潜硎荆@筆投資將有助于增強該集團在芯片制造等關鍵行業(yè)的全球地位，同時使其能夠在機器人和下一代電信等新領域尋求增長機會?！　?jù)外媒報道，三星這240萬億韓元的投資將直接創(chuàng)造4萬個就業(yè)崗位，其中180萬億韓元將用于投資韓國。　　自2020年下半年以來，芯片短缺問題就成為半導體行業(yè)的主旋律。目前，該問題已對全球汽車制造商造成沖擊，其根源是
關鍵字：三星半導體 AI 人工智能

外資加速撤離韓國，2大芯片巨頭市值蒸發(fā)3238億！

在全球缺芯的背景下，半導體成為公認的最熱板塊之一，不僅各大芯企斥巨資研發(fā)制作，就連各大經(jīng)濟體也紛紛“下場”，制定芯片發(fā)展計劃，在此情況下，市場預測，半導體熱還將持續(xù)很久。但近期以來，半導體似乎“不香了”？以韓國市場為例，擁有三星、SK海力士等芯片龍頭的韓國，在半導體領域也是極具代表性的國家。根據(jù)財聯(lián)社8月15日援引外媒的報道，近日，由于新冠確診病例數(shù)激增，外國投資者正在加速撤出韓國市場，該國主要芯片股的表現(xiàn)幾乎稱得上遭遇“滑鐵盧”。權威機構的統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，由于德爾塔病毒的肆虐，加上當?shù)匾呙缃臃N率低下，進入
關鍵字：三星 SK海力士

三星可穿戴芯片Exynos W920正式發(fā)布，速度提升10%

8月10日消息外媒SAMMOBILE報道，三星今天發(fā)布了全新的Exynos 處理器——Exynos W920，是為可穿戴設備量身定做的。
關鍵字：三星 Exynos W920

手機芯片以后更貴了？三星或將調漲晶圓代工價格

　　芯片在手機當中的地位等同于心臟，而這顆“芯”的價格或許將變得更貴?！　「鶕?jù)報道，三星電子投資者關系部資深副總裁Ben Suh在上周出席該公司二季度財報之后的財報電話會議時表示，為了有資金支撐擴充在韓國平澤市的S5晶圓廠，該公司旗下的晶圓代工部門Samsung Foundry將調漲晶圓代工價格?！　⌒枰⒁獾氖牵珺en Suh在出席會議時，并未明確調漲后的價格會是多少，以及新價格將在何時開始適用?！　en Suh在財報電話會議上表示：　?。⊿amsung Foundry）將通過擴充平澤S5生產(chǎn)線以及調
關鍵字：三星手機芯片晶圓廠

三星將在不久后開始生產(chǎn)768GB DDR5內(nèi)存條

　　三星電子昨天公布了其2021年第二季度的收益。該公司整體表現(xiàn)良好，其內(nèi)存業(yè)務也不例外。該公司預計該部門將持續(xù)增長，尤其是針對高端服務器和高性能計算（HPC）市場的DRAM產(chǎn)品。這就是為什么三星一直在推動其用于此類用途的高密度內(nèi)存模塊，該公司最近發(fā)布了業(yè)界首個512GB DDR5 DRAM模塊，從任何角度看都是一個真正的高容量解決方案?！　〉聦嵶C明，這家韓國巨頭可能還不滿足，因為它計劃在不久的將來的某個時候更進一步，生產(chǎn)768GB DDR5模塊，也就是使用24Gb DRAM芯片。這可以從該公司的財報電
關鍵字：三星內(nèi)存 DRAM DDR5

三星65W充電器通過認證：終于追趕上主流快充

　　三星對于65W充電器的升級工作傳的沸沸揚揚，但是一直沒有明確的證據(jù)?！　‖F(xiàn)在，丹麥UL（Demko）機構的認證信息顯示，三星提交了65W充電器的認證?！　】梢钥闯觯潆娖餍吞枮镋P-TA865，支持USB PD和PPS協(xié)議，提供了15W、45W、65W等多檔充電功率?！　∽詮腘ote 7電池起火事件后，三星對于快充的發(fā)展相當保守。　　三星現(xiàn)今充電最快的設備，為Galaxy S20 Ultra，支持45W快充，最新的Galaxy S21 Ultra不進反退，降至25W快充，即將發(fā)布的Z Flip3，充電
關鍵字：三星充電器 65W

三星3nm工藝正式發(fā)流片：采用GAA架構

　　據(jù)外媒報道，三星宣布3nm工藝技術已正式發(fā)流片。據(jù)報道，三星的3mm工藝采用GAA架構，性能優(yōu)于臺積電的3nm FinFET架構。　　報告稱，三星在3納米工藝中的流片進展是與新思科技合作完成的，旨在加快為GAA架構的生產(chǎn)工藝提供高度優(yōu)化的參考方法。三星的3nm工藝采用GAA結構，而不是臺積電或英特爾采用的FinFET結構。因此，三星采用新思科技的Fusion Design Platform。　　在技術性能方面，基于GAA架構的晶體管可以提供比FinFET更好的靜電特性，可以滿足一定柵極寬度的要求。這主
關鍵字：三星 3nm

三星宣布3nm芯片成功流片，規(guī)?；慨a(chǎn)時間節(jié)點臨近

　　6月29日消息，據(jù)外媒報道，三星宣布，3nm制程技術已經(jīng)正式流片。據(jù)介紹，三星的3nm制程采用的是GAA架構，性能優(yōu)于臺積電的3nm FinFET架構?！　蟮婪Q，三星在3nm制程的流片進度是與新思科技合作完成的，目的在于加速為GAA架構的生產(chǎn)流程提供高度優(yōu)化的參考方法。因為三星的3nm制程采用不同于臺積電或英特爾所采用的FinFET的架構，而是采用GAA的結構。因此，三星采用了新思科技的Fusion Design Platform。
關鍵字：芯片 3mm 三星

MWC 2021首日：三星被批缺少硬件產(chǎn)品支撐

　　2021年世界移動通信大會（MWC 2021）6月28日于西班牙巴塞羅那開幕，聯(lián)想、TCL、華為、Telefonica、Orange以及沃達豐等科技公司都派了代表前往現(xiàn)場。盡管韓國三星展示了預先錄制的虛擬發(fā)布會視頻，但其依然成為開幕當天最耀眼的公司，盡管被批缺乏硬件產(chǎn)品支撐?！　∪窃诖舜未髸咸^了展示硬件的環(huán)節(jié)，直接進入Galaxy與設備生態(tài)系統(tǒng)連通性體驗。由于與谷歌和微軟的合作，多任務處理功能已經(jīng)可以在折疊式電腦和平板電腦上實現(xiàn)，而S-Pen讓這個功能變得更加簡單。三星表示，隨著觸控筆在更多三星
關鍵字：世界移動通信大會 MWC 三星聯(lián)想 TCL

三星推5G硬件 5G運營商設備競爭局面出現(xiàn)變化

雖然5G已經(jīng)商用了一段時間，但離完全取代4G還很遠，身邊用4G手機的人還大有人在。所以，不管是在手機端，還是運營商端，5G硬件和技術的發(fā)展都還有很長的路要走。如今三星就在最近的5G相關發(fā)布會上發(fā)布了5G硬件新品，還談論了對6G的展望。 5G的速度和耗電是最關鍵的指標。三星的第二代5G基帶SoC將會以以往一半的能耗，提供兩倍的帶寬。這顆SoC會被最新的5G信號發(fā)射裝置搭載，為手機用戶提供更高質量的5G網(wǎng)絡。此外，三星還推出了另外兩款同樣被用于運營商設施的
關鍵字：三星 5G

三星擴充Odyssey陣容：新增四款非曲面屏游戲顯示器

　　在過去幾年里，電視和顯示器市場的廠商一直在積極地向消費者推廣曲面屏。不過并非所有人都喜歡曲面屏，他們更偏好于傳統(tǒng)的平面屏幕。為了進一步細分這個市場，三星Odyssey系列顯示器新推出了四款游戲顯示器，均以非曲面屏的形式提供?！　　馟70A　　本次推出的四款顯示器中，最頂配的是28英寸的Odyssey G7 model G70A。這款顯示器分辨率為3840*2160，最高刷新率為144Hz。這款屏幕擁有三星Odyssey系列所能提供的最佳功能，包括支持AMD FreeSync Premium Pro和N
關鍵字：三星屏幕顯示器

臺積電、三星也沒料到美國新規(guī)出臺玩“雙標”

為了提高美企在半導體市場的話語權，最近這幾年美國可謂是手段盡施，先是準備為當?shù)氐男酒圃飚a(chǎn)業(yè)投入大量資金，后來又制定了所謂的芯片規(guī)則，阻撓其它國家的半導體公司向前進步。但讓美國沒想到的是，全球芯片市場早已形成了一條嚴密的產(chǎn)業(yè)鏈，其中任一環(huán)節(jié)受到影響，都會給很多企業(yè)帶來損失。也就是說，美國下達的芯片規(guī)則，影響的不僅僅是其它國家的公司，諸多美企同樣不能幸免，它們或多或少都遭遇了一些阻力。舉個簡單的例子，我們國內(nèi)是很多美企最重要的出口市場之一，然而在規(guī)則的制約下，國內(nèi)得不到美企的芯片供應。雖然這對國內(nèi)來說是一種
關鍵字：臺積電三星

強強聯(lián)合，三星推出全新智能手機內(nèi)存組合

本月開始，三星首款LPDDR5 (Low-Power Double Data Rate, 低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率內(nèi)存) uMCP(UFS-based Multichip Package, UFS多芯片封裝)將量產(chǎn)并用于中高端智能手機。三星半導體的全新智能手機內(nèi)存組合 LPDDR5 uMCP 三星半導體的全新智能手機內(nèi)存組合 LPDDR5 uMCP通過結合LPDDR5內(nèi)存和UFS 3.1 NAND(UFS: Universal Flash Storage,通用閃存存儲；NAND:閃存 )存儲
關鍵字：三星 LPDDR5

驍龍895旗艦處理器曝光，4nm工藝，三星代工

驍龍888處理器推出之后，處理器的性能自然是旗艦級別的，但發(fā)熱成為了很大的一個問題。各個廠商對于驍龍888的機型都在極力地堆散熱，但在高溫的夏天，還是很難緩解手機發(fā)熱。近期相關爆料顯示，高通即將推出驍龍888的升級版本驍龍895。爆料顯示，一款代號為SM8450的高通新處理器曝光，由于驍龍888在高通內(nèi)部的部件代號是SM8350，按照命名習慣，SM8450預計將對應新一代旗艦SoC。據(jù)悉，SM8450（驍龍895）仍舊是三星代工，采用其4nm工藝，包括三星自家的Exynos 2200同樣都是基于4nm
關鍵字：驍龍895 4nm 三星

三星Exynos 2200曝光:GPU性能表現(xiàn)期待

對于三星來說，其自主開發(fā)的CPU不僅不能放棄，還繼續(xù)被委以重任，這才是他們繼續(xù)為蘋果而戰(zhàn)，與之競爭的源動力。據(jù)上游供應鏈最新消息稱，由于臺積電對蘋果有優(yōu)先權，所以為了穩(wěn)妥起見，高通將會繼續(xù)和三星合作，而兩家的旗艦CPU都會使用三星的4nm工藝制程。前不久有報道稱，三星將利用其4nm技術在驍龍大規(guī)模生產(chǎn)下一代驍龍X65 5G調制解調器，所以只有這種合作關系才能證明驍龍895會在同一個節(jié)點上制造。此外，據(jù)說高通早些時候向三星支付了8.5億美元用于驍龍888的量產(chǎn)，所以他們此刻可能已經(jīng)達成了協(xié)議。對三星來說，E
關鍵字：三星 Exynos 2200

共5542條 48/370 |‹ « 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 » ›|

三星介紹

　韓國三星電子成立于1969年，正式進入中國市場則是1992年中韓建交后。1992年8月，三星電子有l(wèi)ogo限公司在中國惠州投資建廠。此后的10年，三星電子不斷加大在中國的投資與合作，已經(jīng)成為對中國投資最大的韓資企業(yè)之一。2003年三星電子在中國的銷售額突破100億美元，躍入中國一流企業(yè)的水平。2003年，三星品牌價值108.5億美元，世界排名25位，被商務周刊評選為世界上發(fā)展最快的高科技品牌。 [ 查看詳細 ]