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?nand 文章 最新資訊

海力士半導(dǎo)體放緩NAND Flash工藝轉(zhuǎn)換速度

  • 　　南韓半導(dǎo)體大廠海力士半導(dǎo)體(Hynix)主要NAND Flash產(chǎn)品群，近期將從原本的30納米制程轉(zhuǎn)換至20納米級制程。海力士目前整體NAND Flash產(chǎn)量，以26納米制程產(chǎn)品比重逾50%為最大。 　　海力士相關(guān)人員表示，26納米制程N(yùn)AND Flash比重至2011年3月底約為40%，6月已超越50%，月底可望提升到50%中段。26納米制程產(chǎn)品將逐漸取代32納米制程產(chǎn)品，成為海力士主力產(chǎn)品。 　　NAND Flash為非揮發(fā)性內(nèi)存芯片，即使中斷供電也能儲存信息，是智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)等行動裝
  • 關(guān)鍵字： 海力士  NAND  

臺DRAM產(chǎn)業(yè)集成是唯一之道

  • 　　存儲器模塊廠金士頓(Kingston)不畏存儲器景氣波動，2010年全球獨(dú)立DRAM模塊廠市占率首度突破50%大關(guān)，NAND Flash市場布局也成功跨足固態(tài)硬盤(SSD)市場，面對臺灣上游DRAM廠仍處于生存困境的當(dāng)下，金士頓創(chuàng)辦人之一的杜紀(jì)川表示，認(rèn)同孫大衛(wèi)認(rèn)為臺灣 DRAM產(chǎn)業(yè)要集成才有活路的策略，唯有計(jì)畫性地將各方力量做結(jié)合，才能讓臺灣DRAM廠免受全球經(jīng)濟(jì)、市場波動沖擊?！?/li>
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需求趨緩致NAND閃存芯片價格下降

  • 　　由于蘋果等大型企業(yè)的需求不夠強(qiáng)勁，導(dǎo)致5月的NAND閃存芯片合約價格“快速”降低。 　　今年5月的NAND芯片價格的降幅已經(jīng)超過15%，現(xiàn)貨市場的降幅則在20%左右。蘋果仍是NAND閃存芯片的最大買家，但需求提升不像往年的第二季度那么強(qiáng)勁。　　
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終端需求疲軟 NAND Flash合約價大跌

  • 　　第2季NAND Flash終端需求太差，新出爐合約報價大跌超過10%，內(nèi)存模塊廠表示，合計(jì)整個5月現(xiàn)貨報價跌幅達(dá)20%，合約價合計(jì)跌幅也超過15%，反映終端需求確實(shí)需要新刺激，目前市場是底部已臨，靜待反彈階段;展望第3季，市場認(rèn)同威剛董事長陳立白的基調(diào)，預(yù)期第3季仍會比第2季好一些，但市場不至于會有缺貨或價格飆漲的情況發(fā)生。
  • 關(guān)鍵字： 三星  NAND Flash  

NAND Flash需求急凍 模組廠瀕臨警戒線

  • 　　全球NANDFlash市場需求在5月進(jìn)入冰河期，不僅快閃記憶卡和隨身碟應(yīng)用需求大幅降溫，甚至傳出平板電腦及智慧型手機(jī)大廠亦出現(xiàn)砍單情況，記憶體零售和系統(tǒng)端需求明顯降溫，市場五窮六絕跡象顯現(xiàn)，使得記憶體模組廠營收恐再次探底，部分廠商傳出力守2月營收低點(diǎn)的警戒線。不過，以毛利率角度來看，由于NANDFlash價格并沒有出現(xiàn)急跌，因此，模組廠5月毛利率仍可暫時守穩(wěn)在水準(zhǔn)之上。
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基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設(shè)計(jì)

  • 基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設(shè)計(jì),摘要：介紹了一種最新DDR NAND閃存技術(shù)，它突破了傳統(tǒng)NAND Flash 50 MHz的讀寫頻率限制，提供更好的讀寫速度，以適應(yīng)高清播放和高清監(jiān)控等高存儲要求的應(yīng)用。分析該新型閃存軟硬件接口的設(shè)計(jì)方法。
    關(guān)鍵詞：DDR NAN
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基于NAND FLASH的高速大容量存儲系統(tǒng)設(shè)計(jì)

  • 摘要：為了解決目前記錄系統(tǒng)容量小、存儲速度低的問題，采用性能優(yōu)良的固態(tài)NAND型FLASH為存儲介質(zhì)，大規(guī)模集成電路FPGA為控制核心，通過使用并行處理技術(shù)和流水線技術(shù)實(shí)現(xiàn)了多片低速FLASH時高速數(shù)據(jù)的存儲，提高了整
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存儲器思謀發(fā)展

  • 　　存儲器是隨著計(jì)算機(jī)而發(fā)展起來的一種專用電子部件，用于保存數(shù)據(jù)和程序，傳統(tǒng)上計(jì)算機(jī)的主存儲器稱Memory，外部設(shè)備用存儲器稱Storage(常用磁盤、磁帶)。上世紀(jì)50年代中期，主存曾用磁芯存儲器，60年代中期以來，半導(dǎo)體存儲器開始取代磁芯存儲器。隨著時間的前進(jìn)，存儲器獲得了長足的發(fā)展。 　　
  • 關(guān)鍵字： 存儲器  NAND  201105  

Gartner認(rèn)為SSD將在明年成為市場主流

  • 　　數(shù)年來固態(tài)硬盤正在變得越來越便宜和可靠，但相比大容量的硬盤而言，這種產(chǎn)品在容量和價格比上依然顯得有些奢侈，例如40GB的Intel SSD相當(dāng)于1TB的西部數(shù)據(jù)硬盤的價格。盡管如此，Gartner依然對SSD市場的前景十分看好，并認(rèn)為到2012年下半年，固態(tài)硬盤將成為市場的主流，并預(yù)期到時候的價格將會下降到每1美元1GB，這意味著主流的SSD價格將下調(diào)到100美元以下，例如64GB64美元，從而開始被大眾接受。
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NAND FLASH在儲存測試系統(tǒng)中的應(yīng)用

  • 0 引言　　計(jì)算機(jī)技術(shù)的高速發(fā)展，存儲系統(tǒng)容量從過去的幾KB存儲空間，到現(xiàn)在的T8；乃至不久的將來要達(dá)到的PB存儲空間，其數(shù)據(jù)存取的能力在飛速擴(kuò)展。隨之而來產(chǎn)生的SCSI、FC、SAN、iSCSI、IPStorage和數(shù)據(jù)生命周期管
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三星量產(chǎn)新型NAND閃存芯片

  • 　　5月13日消息，據(jù)國外媒體報道，全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周四稱，它已經(jīng)開始大批量生產(chǎn)新的NAND閃存芯片。這種閃存芯片傳送速度的速度比目前市場上的任何其它NAND閃存芯片都要快。 　　
  • 關(guān)鍵字： 三星  NAND  

NAND Flash大廠積極制程轉(zhuǎn)換

  • 　　2011年全球NAND Flash中，全球三星電子(Samsung Electronics)仍是位居全球NAND Flash市場龍頭，市占率高達(dá)36.2%，緊追在后的是東芝(Toshiba)，市占率達(dá)35.1%，兩者合計(jì)掌握70%以上NAND Flash市場;根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce最新統(tǒng)計(jì)，2011年第1季NAND Flash品牌供應(yīng)商的位元出貨量為13%，營收成長9.9%，達(dá)53.63億美元。 　　2011年第1季全球NAND Flash市場變化相當(dāng)多，最大影響當(dāng)屬日本311東北強(qiáng)震，對
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三星與海力士提升NAND Flash芯片產(chǎn)量

  • 　　據(jù)了解，由于智能型手機(jī)(Smartphone)和平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)需求暴增，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產(chǎn)量。 　　
  • 關(guān)鍵字： 三星  NAND Flash  

三星、海力士擴(kuò)大NAND Flash投資

  • 　　由于智能型手機(jī)(Smartphone)和平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)需求暴增，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產(chǎn)量。 　　
  • 關(guān)鍵字： 三星  NAND  移動設(shè)備  

美光：未來NAND Flash不求市占率但求低成本

  • 　　由于智能型手機(jī)等行動裝置應(yīng)用驅(qū)動NANDFlash需求成長，加上日本強(qiáng)震造成東芝(Toshiba)5、6月NAND Flash供貨銳減50%，美光(Micron)看好NANDFlash產(chǎn)業(yè)將持續(xù)供不應(yīng)求，除與英特爾(Intel)合資新加坡廠取得多數(shù)股權(quán)和產(chǎn)能，未來不排除再擴(kuò)大NAND Flash產(chǎn)能，可行方案包括釋出代工權(quán)給華亞科生產(chǎn)，或是啟動新加坡二廠。美光指出，未來NAND Flash策略不追求市占第1，但要做到成本最低。 　　
  • 關(guān)鍵字： 美光  NAND  
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