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?nand flash 文章 最新資訊

基于TMS320DM642的Flash編程

  • 基于TMS320DM642的Flash編程,本文首先介紹常見的Flash編程方法,然后詳細介紹本文方法的原理,以及DSP系統(tǒng)上電加載原理,最后給出整個實現(xiàn)過程并分析了Flash編程時需要注意的一些問題?！　lash編程方法　　常見的Flash編程方式　　Flash在正常使用
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NAND Flash合約價續(xù)跌

  • 　　據(jù)韓國電子新聞報導(dǎo)，計算機用DRAM芯片價格快速下跌，NAND Flash合約價也從6月起出現(xiàn)陡峭跌幅，2個月內(nèi)出現(xiàn)2011年來最低價2美元紀錄。下半年則因智能型手機(Smartphone)與平板計算機 (Tablet PC)新品陸續(xù)問世，可望帶動NAND Flash價格回升。
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C6201／C6701 DSP處理器與FLASH存儲器MBM

  • 本文以基于三個C6201／C6701 DSP芯片開發(fā)成功的嵌入式并行圖像處理實時系統(tǒng)為例，介紹這一設(shè)計技術(shù)。
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基于AT25T1024 FLASH的高速SPI接口設(shè)計

  • 　　在一些軍用芯片的早期設(shè)計中，一般先采用比較成熟的商用協(xié)議芯片進行軍用化改造(通常做成板卡形式)，而商用 ...
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存儲器產(chǎn)業(yè)群雄割據(jù)時代將再度來臨

  • 　　隨著存儲器容量越來越大，NANDFlash產(chǎn)業(yè)制程在進入20納米制程后，也開始遇到瓶頸，業(yè)界在未來制作更大容量存儲器上，面臨是否繼續(xù)發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術(shù)上些微領(lǐng)先最大競爭對手公司韓國三星電子(SamsungElectronics)，但短期內(nèi)該技術(shù)也將可能面臨瓶頸，因此如東芝(Toshiba)及爾必達(Elpida)等公司，均已決定投入3D存儲器的開發(fā)。
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納米制程遇瓶頸 業(yè)者紛紛投入3D存儲器的開發(fā)

  • 　　隨著存儲器容量越來越大，NAND Flash產(chǎn)業(yè)制程在進入20納米制程后，也開始遇到瓶頸，業(yè)界在未來制作更大容量存儲器上，面臨是否繼續(xù)發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術(shù)上些微領(lǐng)先最大競爭對手公司韓國三星電子(Samsung Electronics)，但短期內(nèi)該技術(shù)也將可能面臨瓶頸，因此如東芝(Toshiba)及爾必達(Elpida)等公司，均已決定投入3D存儲器的開發(fā)。 　
  • 關(guān)鍵字： 爾必達  NAND  

C6000系列DSP Flash二次加載技術(shù)研究

  • C6000系列DSP Flash二次加載技術(shù)研究,引言
    TI公司C6000系列DSP具有強大的處理能力，在嵌入式系統(tǒng)中有著廣泛的應(yīng)用。由于程序在DSP內(nèi)部存儲器的運行速度遠大于片外存儲器的運行速度，通常需要將程序從外部加載到DSP內(nèi)部運行。由于C6000系列DSP均沒有
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今年游戲主機NAND flash內(nèi)存密度提高40%

  • 　　內(nèi)存的成本高昂，今年 NAND 在家庭主機和手持設(shè)備上的密集度仍將提高 40% 以上，而這是游戲最主要的游戲環(huán)境。 　　今年家用游戲主機的 NAND 平均密度預(yù)計達 923MB，較去年的 649MB 提高 42.2%。今年手持游戲設(shè)備的 NAND 平均密度則預(yù)計自去年的 87MB 增長 41.4%，達 123MB。 　　
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LSI推出CacheVault Flash高速緩存保護技術(shù)

  • 　　LSI公司日前宣布推出一款 MegaRAID CacheVault技術(shù)，用于為 LSI MegaRAID 6Gb/s SATA+SAS RAID 控制卡提供基于閃存的高速緩存保護功能。MegaRAID CacheVault 采用固態(tài) NAND 閃存，能夠在電源發(fā)生故障的時候自動將高速緩存中的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到閃存中，從而為存儲在 RAID 控制器緩存中的數(shù)據(jù)提供強大的保護。CacheVault 技術(shù)避免了采用鋰離子電池的麻煩，并可節(jié)約相關(guān)的硬件維護成本，從而實現(xiàn)更環(huán)保、總體成本更低的高速緩存保護解決方案。
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2011年NAND閃存密度將增長40%以上

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的NAND閃存研究報告，盡管NAND閃存成本較高妨礙其進入游戲硬件，但2011年家庭游戲機與手持游戲機中的NAND密度將增長40%以上。 　　
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三星電子韓國新NAND廠預(yù)計9月投產(chǎn)

  • 　　三星電子一家新的存儲半導(dǎo)體制造廠將于9月投入運營。消息人士說，新廠編號為“Line-16”，主要生產(chǎn)NAND芯片。 　　2010年5月時，三星在韓國京畿道(Gyeonggi Province)華城(Hwaseong)破土動工，建立新的工廠。此前三星曾透露說，Line-16工廠月產(chǎn)20萬片12寸圓晶。
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東芝和SanDisk日本建第3個NAND半導(dǎo)體工廠

  • 　　日前東芝和SanDisk在日本建立了第三家半導(dǎo)體工廠，以應(yīng)對智能手機和平板電腦的快速發(fā)展而帶來的對閃存芯片的大量需求。該工廠主要生產(chǎn)300毫米晶片NAND半導(dǎo)體，工廠名稱為“Fab 5”。
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東芝與Sandisk共慶NAND閃存工廠Fab5正式投產(chǎn)

  • 　　東芝株式會社 與Sandisk公司日前共同慶祝位于日本三重縣四日市東芝生產(chǎn)基地的第三家300mm晶圓NAND生產(chǎn)工廠Fab 5正式投產(chǎn)。
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三星、東芝NAND Flash市占差距縮減至0.3%

  • 　　據(jù)韓國媒體報導(dǎo)，2011年第1季NAND Flash市場上，日廠東芝(Toshiba)猛力追擊，以市占率0.3%差距，威脅三星電子(Samsung Electronics) 8年來業(yè)界第1的地位。然而在快速成長的行動DRAM市場上，三星仍坐擁壓倒性的市占率。
  • 關(guān)鍵字： 三星  Flash  

基于FPGA的NAND Flash ECC校驗

  • 摘要 基于Flash存儲器的Hamming編碼原理，在Altera QuartusⅡ7．0開發(fā)環(huán)境下，實現(xiàn)ECC校驗功能。測試結(jié)果表明，該程序可實現(xiàn)每256 Byte數(shù)據(jù)生成3 Byte的ECC校驗數(shù)據(jù)，能夠檢測出1 bit錯誤和2 bit錯誤，對于1 bit錯誤
  • 關(guān)鍵字： Flash  FPGA  NAND  ECC    
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?nand flash介紹

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