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英飛凌加速氮化鎵布局，引領(lǐng)低碳高效新紀(jì)元

近年來，隨著科技的不斷進(jìn)步和全球?qū)G色低碳發(fā)展的需求日益增長，半導(dǎo)體行業(yè)迎來了前所未有的發(fā)展機(jī)遇。氮化鎵（GaN）作為一種新型半導(dǎo)體材料，以其高功率、高效率、耐高溫等特性，在消費(fèi)電子、電動(dòng)汽車、可再生能源等多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。作為全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者，英飛凌在氮化鎵領(lǐng)域持續(xù)深耕，通過戰(zhàn)略布局、技術(shù)創(chuàng)新、市場應(yīng)用拓展等不斷鞏固其市場地位。近日，英飛凌在上海慕尼黑展會(huì)期間舉辦了一場專門的氮化鎵新品媒體溝通會(huì)，會(huì)上英飛凌科技大中華區(qū)消費(fèi)、計(jì)算與通訊業(yè)務(wù)市場總監(jiān)程文濤先生以及英飛凌科技
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氮化鎵為何被如此看好，能否替代硅基材料大放異彩？

氮化鎵材料相較于硅基材料，顯著優(yōu)勢體現(xiàn)在節(jié)能、成本節(jié)約及材料省用上。其核心亮點(diǎn)在于其超快的開關(guān)速度，在硅、碳化硅與氮化鎵三者中獨(dú)占鰲頭。這一特性直接促進(jìn)了開關(guān)頻率的大幅提升，進(jìn)而允許大幅縮減被動(dòng)元器件及散熱器的尺寸與數(shù)量，有效降低了物料消耗，彰顯了氮化鎵在物料節(jié)省方面的卓越能力。此外，在效率層面，氮化鎵與碳化硅并駕齊驅(qū)，通過實(shí)現(xiàn)極低的導(dǎo)通阻抗（即單位面積上可達(dá)到的最小電阻），相較于硅材料實(shí)現(xiàn)了數(shù)量級(jí)的優(yōu)化。這種高效的導(dǎo)電性能，是氮化鎵提升系統(tǒng)效率的關(guān)鍵所在。綜合上述兩方面優(yōu)勢，氮化鎵的應(yīng)用不僅促進(jìn)了系統(tǒng)性
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永銘電子：創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)，聚焦新能源與人工智能的未來

在2024年7月11日的慕尼黑電子展上，EEPW采訪了上海永銘電子股份有限公司（以下簡稱“永銘電子”）。其以23年的深厚技術(shù)積累和創(chuàng)新精神，再次成為行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。作為一家集研發(fā)、制造、銷售于一體的電容器企業(yè)，永銘電子在新能源汽車電子、光伏逆變器、風(fēng)力發(fā)電、5G通訊、IDC服務(wù)器、算力服務(wù)器以及人工智能等多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出了其技術(shù)實(shí)力和市場競爭力。本屆慕展上的永銘電子展臺(tái)永銘電子自2001年成立以來，一直致力于電容器的研發(fā)與創(chuàng)新。公司目前擁有十個(gè)事業(yè)部，專注于新能源汽車電子、光伏逆變器、風(fēng)力發(fā)電、5G通訊、服
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西電廣研團(tuán)隊(duì)攻克1200V以上增強(qiáng)型氮化鎵電力電子芯片量產(chǎn)技術(shù)

7月12日消息，近日，西安電子科技大學(xué)廣州研究院第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心郝躍院士、張進(jìn)成教授課題組李祥東團(tuán)隊(duì)在藍(lán)寶石基增強(qiáng)型e-GaN電力電子芯片量產(chǎn)技術(shù)研發(fā)方面取得突破性進(jìn)展。研發(fā)成果6英寸增強(qiáng)型e-GaN電力電子芯片以“p-GaN Gate HEMTs on 6 Inch Sapphire by CMOSCompatible Process: A Promising Game Chang
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革新GaN IPM技術(shù)：引領(lǐng)高壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)進(jìn)入新時(shí)代

在當(dāng)今能效需求日益增長的時(shí)代背景下，家電及HVAC系統(tǒng)的設(shè)計(jì)師們正全力以赴地追求更高的能效標(biāo)準(zhǔn)。與此同時(shí)，他們也積極響應(yīng)消費(fèi)者對可靠、靜音、緊湊且經(jīng)濟(jì)實(shí)用的系統(tǒng)的期待。市場上的主要設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)在于，如何在不增加系統(tǒng)成本的前提下，設(shè)計(jì)并開發(fā)出更為小巧、高效且經(jīng)濟(jì)適用的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。這一挑戰(zhàn)要求設(shè)計(jì)師們不斷創(chuàng)新，以實(shí)現(xiàn)能效與實(shí)用性的完美結(jié)合?；谝陨媳尘?，德州儀器（TI）再次走在行業(yè)前沿，通過其最新發(fā)布的DRV7308氮化鎵（GaN）智能功率模塊（IPM），為高壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)帶來了革命性的改變。近日，德州儀器在發(fā)布
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德州儀器推出先進(jìn)的 GaN IPM，助力打造尺寸更小、能效更高的高壓電機(jī)

650V 智能電源模塊 (IPM)集成了德州儀器的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)，助力家電和暖通空調(diào)（HVAC）系統(tǒng)逆變器達(dá)到99%以上效率。得益于 IPM 的高集成度和高效率，省去了對外部散熱器的需求，工程師可以將解決方案尺寸縮減多達(dá) 55%。中國上海（2024 年 6 月 18 日）– 德州儀器 (TI)（納斯達(dá)克股票代碼：TXN）推出了適用于 250W 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的先進(jìn) 650V 三相 GaN IPM。這款全新的 GaN IPM 解決了工程師在設(shè)計(jì)大型家用電器及加熱、通風(fēng)和空調(diào) (HVAC) 系統(tǒng)時(shí)通
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漲知識(shí)！氮化鎵（GaN）器件結(jié)構(gòu)與制造工藝

氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質(zhì)是外延結(jié)構(gòu)的不同，本文通過深入對比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結(jié)構(gòu)，再對增強(qiáng)型和耗盡型的氮化鎵HEMT結(jié)構(gòu)進(jìn)行對比，總結(jié)結(jié)構(gòu)不同決定的部分特性。此外，對氮化鎵功率器件的外延工藝以及功率器件的工藝進(jìn)行描述，加深對氮化鎵功率器件的工藝技術(shù)理解。在理解氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)和工藝的基礎(chǔ)上，對不同半導(dǎo)體材料的特性、不同襯底材料的氮化鎵HEMT進(jìn)行對比說明。一、器件結(jié)構(gòu)與制造工藝（一）器件結(jié)構(gòu)對比GaN HEMT是基于AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)，目前市面上還未出現(xiàn)G
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ADI氮化鎵功率元件和工具為設(shè)計(jì)帶來了機(jī)會(huì)

氮化鎵 (GaN) 半導(dǎo)體在 20 世紀(jì) 90 年代初首次作為高亮度藍(lán)色發(fā)光二極管 (LED) 投入商業(yè)應(yīng)用，隨后成為藍(lán)光光盤播放器的核心技術(shù)。自此以后雖已取得長足進(jìn)步，但在將近二十年后，該技術(shù)才因其高能效特性而在場效應(yīng)晶體管 (FET) 上實(shí)現(xiàn)商業(yè)可行性。氮化鎵目前是半導(dǎo)體行業(yè)增長最快的細(xì)分市場之一，復(fù)合年增長率估計(jì)在 25% 至 50% 之間，其驅(qū)動(dòng)力來自對能效更高設(shè)備的需求，以期實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展和電氣化目標(biāo)。與硅晶體管相比，氮化鎵晶體管可以設(shè)計(jì)出體積更小、效率更高的器件。氮化鎵最初
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這家GaN外延工廠開業(yè)!

作為第三代半導(dǎo)體兩大代表材料，SiC產(chǎn)業(yè)正在火熱發(fā)展，頻頻傳出各類利好消息；GaN產(chǎn)業(yè)熱度也正在持續(xù)上漲中，圍繞新品新技術(shù)、融資并購合作、項(xiàng)目建設(shè)等動(dòng)作，不時(shí)有新動(dòng)態(tài)披露。在關(guān)注度較高的擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目方面，上個(gè)月，能華半導(dǎo)體張家港制造中心（二期）項(xiàng)目在張家港經(jīng)開區(qū)再制造基地正式開工建設(shè)。據(jù)悉，能華半導(dǎo)體張家港制造中心（二期）項(xiàng)目總投資6000萬元，總建筑面積約10000平方米，將新建GaN外延片產(chǎn)線。項(xiàng)目投產(chǎn)后，將形成月產(chǎn)15000片6英寸GaN外延片的生產(chǎn)能力。而在近日，又有一個(gè)GaN外延片項(xiàng)目取得新進(jìn)展。5
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Power Integrations收購Odyssey Semiconductor資產(chǎn)

深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日宣布達(dá)成協(xié)議，收購垂直氮化鎵(GaN)晶體管技術(shù)開發(fā)商Odyssey Semiconductor Technologies的資產(chǎn)。這項(xiàng)交易預(yù)計(jì)將于2024年7月完成，屆時(shí)Odyssey的所有關(guān)鍵員工都將加入Power Integrations的技術(shù)部門。此次收購將為該公司專有的PowiGaN?技術(shù)的持續(xù)開發(fā)提供有力支持。PowiGaN技術(shù)已廣泛應(yīng)用于該公司的眾多產(chǎn)品系列，包括InnoSwitch? IC、HiperPFS
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Transphorm與偉詮電子合作推出新款GaN器件

近日，Transphorm與偉詮電子宣布推出兩款新型系統(tǒng)級(jí)封裝氮化鎵（GaN）器件（SiP），與去年推出的偉詮電子旗艦GaN SiP一起，組成首個(gè)基于Transphorm SuperGaN平臺(tái)的系統(tǒng)級(jí)封裝GaN產(chǎn)品系列。新推出的兩款SiP器件型號(hào)分別為WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了偉詮電子的高頻多模（準(zhǔn)諧振/谷底開關(guān)）反激式PWM控制器和Transphorm的150 mΩ和480 mΩ SuperGaN FET。與上一款240 mΩ器件（WT7162RHUG24A）相同，兩
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Transphorm與偉詮電子合作推出新款集成型SiP氮化鎵器件

全球領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商Transphorm, Inc.與適配器USB PD控制器集成電路的全球領(lǐng)導(dǎo)者Weltrend Semiconductor Inc.近日宣布推出兩款新型系統(tǒng)級(jí)封裝氮化鎵器件（SiP），與去年推出的偉詮電子旗艦氮化鎵 SiP 一起，組成首個(gè)基于Transphorm SuperGaN?平臺(tái)的系統(tǒng)級(jí)封裝氮化鎵產(chǎn)品系列。新推出的兩款SiP器件型號(hào)分別為WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了偉詮電子的高頻多模（準(zhǔn)諧振/谷底開關(guān)）反激式PWM控制器和T
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國際首次中國成功研制出氮化鎵量子光源芯片

《科技日報(bào)》19日報(bào)導(dǎo)，電子科技大學(xué)信息與量子實(shí)驗(yàn)室透露，該實(shí)驗(yàn)室研究團(tuán)隊(duì)近日與北京清華大學(xué)、中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所合作，在國際上首次研制出氮化鎵量子光源芯片，這也是電子科技大學(xué)「銀杏一號(hào)」城域量子互聯(lián)網(wǎng)研究平臺(tái)，取得的又一項(xiàng)重要進(jìn)展，相關(guān)成果發(fā)表在《物理評(píng)論快報(bào)》上。據(jù)了解，量子光源芯片是量子互聯(lián)網(wǎng)的核心器件，可以看作點(diǎn)亮「量子房間」的「量子燈泡」，讓互聯(lián)網(wǎng)使用者擁有進(jìn)行量子信息交互的能力。研究團(tuán)隊(duì)通過迭代電子束曝光和干法刻蝕工藝，攻克了高質(zhì)量氮化鎵晶體薄膜生長、波導(dǎo)側(cè)壁與表面散射損耗等技
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我國研制出世界首個(gè)氮化鎵量子光源芯片

據(jù)天府絳溪實(shí)驗(yàn)室官微消息，近日，電子科技大學(xué)信息與量子實(shí)驗(yàn)室、天府絳溪實(shí)驗(yàn)室量子互聯(lián)網(wǎng)前沿研究中心與清華大學(xué)、中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所合作，在國際上首次研制出氮化鎵量子光源芯片，這是電子科技大學(xué)“銀杏一號(hào)”城域量子互聯(lián)網(wǎng)研究平臺(tái)取得的又一項(xiàng)重要進(jìn)展，也是天府絳溪實(shí)驗(yàn)室在關(guān)鍵核心技術(shù)領(lǐng)域取得的又一創(chuàng)新成果。據(jù)悉，研究團(tuán)隊(duì)通過迭代電子束曝光和干法刻蝕工藝，攻克高質(zhì)量氮化鎵晶體薄膜生長、波導(dǎo)側(cè)壁與表面散射損耗等技術(shù)難題，在國際上首次將氮化鎵材料運(yùn)用于量子光源芯片。目前，量子光源芯片多使用氮化硅等材料
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測試共源共柵氮化鎵 FET

Cascode GaN FET 動(dòng)態(tài)測試面臨的挑戰(zhàn)　　Cascode GaN FET 比其他類型的 GaN 功率器件更早進(jìn)入市場，因?yàn)樗梢蕴峁┏ｊP(guān)操作并具有更寬的柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍。然而，電路設(shè)計(jì)人員發(fā)現(xiàn)該器件在實(shí)際電路中使用起來并不那么容易，因?yàn)樗苋菀装l(fā)生振蕩，并且其器件特性很難測量并獲得可重復(fù)的提取。許多設(shè)計(jì)人員在電路中使用大柵極電阻時(shí)必須減慢器件的運(yùn)行速度，這降低了使用快速 GaN 功率器件的優(yōu)勢。圖 1 顯示了關(guān)斷時(shí)的發(fā)散振蕩。圖 2 顯示了導(dǎo)通時(shí)的大柵極電壓振鈴。兩者都與圖 3 所示的 Cas
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