第三代半導體中SiC(碳化硅)單晶和GaN(氮化鎵)單晶脫穎而出，最有發(fā)展前景。第三代半導體主要包括SiC單晶、GaN單晶、ZnO單晶和金剛石，其中又以SiC和GaN為最核心的材料。SiC擁有更高的熱導率和更成熟的技術，而GaN直接躍遷、高電子遷移率和飽和電子速率、成本更低的優(yōu)點則使其擁有更快的研發(fā)速度。兩者的不同優(yōu)勢決定了應用范圍上的差異，在光電領域，GaN占絕對的主導地位，而在其他功率器件領域，SiC適用于1200V以上的高溫大電力領域，GaN則更適用900V以下的高頻小電力領域。目前來看，未來2
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半導體 晶圓制造
電子板塊五個交易日上漲2.46%，排在23個行業(yè)中第4位，成交金額512.70億元，資金流出2.34億元;漲幅前三名分別為：億緯鋰能(300014)上漲16.50%、天源迪科(300047)上漲14.66%、環(huán)旭電子(601231)上漲14.49%;跌幅前三名分別為：華燦光電(300323)下跌12.97%、天津普林(002134)下跌7.68%、興森科技(002436)下跌5.71%。
行業(yè)動態(tài)觸控筆記本OGS面板低價版問世Win8觸控PC約占全球筆記本出貨10%國內液晶電視面板自給率超過3成
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半導體 電子設備
隨著臺積電、英特爾、三星等半導體大廠將在明年微縮制程進入20納米以下世代，設備廠也展開新一波的搶單計劃。
在應用材料于其SEMVision系列設備上引進首創(chuàng)缺陷檢測掃瞄電子顯微鏡(DRSEM)技術后，另一設備大廠科磊(KLATencor)21日宣布，同步推出新一化光學及電子束晶圓缺陷檢測系統(tǒng)。隨著兩大設備廠已搶進臺積電及英特爾供應鏈，對于國內設備廠漢微科來說競爭壓力大增。
雖然半導體市場下半年景氣能見度不高，但是包括臺積電、英特爾、三星、格羅方德(GlobalFoundries)、聯(lián)電等大
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半導體 20納米
EDA業(yè)者正大舉在FinFET市場攻城掠地。隨著臺積電、聯(lián)電和英特爾(Intel)等半導體制造大廠積極投入16/14奈米FinFET制程研發(fā)，EDA工具開發(fā)商也亦步亦趨，并爭相發(fā)布相應解決方案，以協(xié)助IC設計商克服電晶體結構改變所帶來的新挑戰(zhàn)，卡位先進制程市場。
16/14奈米(nm)先進制程電子設計自動化(EDA)市場戰(zhàn)火正式點燃。相較起28/20奈米制程，16/14奈米以下制程采用的鰭式場效電晶體(FinFET)結構不僅提升晶片設計困難度(圖1)，更可能拖累產品出貨時程，為協(xié)助客戶能突破Fi
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半導體 14nm
推動半導體業(yè)進步有兩個輪子，一個是工藝尺寸縮小，另一個是硅片直徑增大，而且總是尺寸縮小為先。由半導體工藝路線圖看，2013年應該進入14納米節(jié)點，觀察近期的報道，似乎已無異議，而且仍是英特爾挑起大樑。盡管摩爾定律快“壽終正寢”的聲音已不容置辯，但是14nm的步伐仍按期走來，原因究竟是什么?
傳統(tǒng)光刻技術與日俱進
當尺寸縮小到22/20nm時，傳統(tǒng)的光刻技術已無能力，必須采用輔助的兩次圖形曝光技術。
提高光刻的分辨率有3個途徑：縮短曝光波長、增大鏡頭數(shù)值孔徑NA
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ASML 半導體
半導體技術正推動醫(yī)療保健產業(yè)變革。在半導體業(yè)者的努力下，MEMS感測器和致動器、低功耗微控制器，以及無線收發(fā)器的效能不斷提升，且功耗大幅降低，因而有助電子產品制造商為可攜式醫(yī)療電子設備增添智慧化功能，從而加速行動醫(yī)療及遠距照護發(fā)展。
意法半導體執(zhí)行副總裁暨大中華與南亞區(qū)總裁紀衡華
過往醫(yī)療設備體積龐大，占滿整個房間，現(xiàn)今醫(yī)療設備已不斷變小、變輕，并創(chuàng)造許多新的應用，例如很多新的穿戴式醫(yī)療設備已被設計得十分隱蔽，不易被人發(fā)現(xiàn)。如同智慧型手機和游戲機一樣，可攜式醫(yī)療設備可全天候工作，讓病患與醫(yī)
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半導體 MEMS
SEMICON Taiwan 2013國際半導體展下月起跑，今年將以3D IC(3-Dimensional Integrated Circuit，立體堆疊晶片)、綠色制程、精密機械及系統(tǒng)級封裝等為主題，另有LED(Light Emitting Diode，發(fā)光二極體)制程特展，同時也將舉辦15場國際論壇及邀請多家知名企業(yè)主參與，預料將成注目焦點。
國際半導體設備材料產業(yè)協(xié)會(Semiconductor Equipment and Materials International，SEMI)指出，今
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半導體 3D
中國半導體業(yè)究竟要實現(xiàn)什么樣的目標?有宏大的目標如“建立自主可控的中國半導體業(yè)體系”。由于自主與可控的范圍太大，離目前產業(yè)發(fā)展水平還稍有點遠，我們可以把它稱之為中國半導體業(yè)的終極目標。還有一個目標即中國半導體業(yè)的“十二五”規(guī)劃，簡要概括是實現(xiàn)銷售額3300億元，以及國產化率達到30%，還有諸如銷售額達到多少億元的芯片生產線共有多少條等。站在不同立場，對于中國半導體業(yè)要實現(xiàn)的目標理解可能不盡相同。實際上IC國產化率才是反映中國半導體業(yè)綜合競爭力提高的主要指
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半導體 IC代工
隨著臺積電、英特爾、三星等半導體大廠將在明年微縮制程進入20納米以下世代，設備廠也展開新一波的搶單計劃。
在應用材料于其SEMVision系列設備上引進首創(chuàng)缺陷檢測掃瞄電子顯微鏡(DRSEM)技術后，另一設備大廠科磊(KLATencor)21日宣布，同步推出新一化光學及電子束晶圓缺陷檢測系統(tǒng)。隨著兩大設備廠已搶進臺積電及英特爾供應鏈，對于國內設備廠漢微科來說競爭壓力大增。
雖然半導體市場下半年景氣能見度不高，但是包括臺積電、英特爾、三星、格羅方德(GlobalFoundries)、聯(lián)電等大
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半導體 20納米
半導體業(yè)已經(jīng)邁入14nm制程，2014年開始量產。如果從工藝制程節(jié)點來說，傳統(tǒng)的光學光刻193nm浸液式采用兩次或者四次圖形曝光(DP)技術可能達到10nm，這意味著如果EUV技術再次推遲應用，到2015年制程將暫時在10nm徘徊。除非等到EUV技術成熟，制程才能再繼續(xù)縮小下去。依目前的態(tài)勢，即便EUV成功也頂多還有兩個臺階可上，即7nm或者5nm。因為按理論測算，在5nm時可能器件已達到物理極限。
工藝尺寸縮小僅是手段之一，不是最終目標。眾所周知，推動市場進步的是終端電子產品的市場需求，向著更
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半導體 14nm
近日，由中國照明電器協(xié)會、中國照明學會、中國質量認證中心、北京電光源研究所共同發(fā)起的“半導體照明技術評價聯(lián)盟”在北京成立。該聯(lián)盟為我國首個半導體照明技術評價領域的社會組織。
該聯(lián)盟的主要任務是技術評價，規(guī)范半導體照明產品接口，增強產品之間的互換性，引導國內半導體照明技術進步，制定與國際先進規(guī)范(標準)接軌的聯(lián)盟規(guī)范。
浙江省標準化院與浙江陽光照明電器集團股份有限公司、橫店集團得邦照明股份有限公司、杭州宇中高虹照明電器有限公司、杭州浙大三色儀器有限公司等10余家浙江企
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半導體 照明
芯夢 中國夢---中國半導體業(yè)發(fā)展十個最關鍵的問題
引言篇：中國半導體業(yè)的“西緒福斯”魔咒
在多古希臘神話中，西緒福斯(Sisyphus，又譯西齊佛)推石頭的故事給我留下了深刻的印象。西緒福斯因為在天庭犯了法，被宙斯懲。對他的懲是：要推一塊巨石上山。每天，西緒福斯都要費好大的力氣把那塊石頭推到山頂，可是石頭又會自動滾下來，于是西緒福斯又要把那塊石頭往山頂上推。日復一日，周而復始。
猶如西緒福斯推動巨石，歷史是循環(huán)的，又是進步的。在半導體業(yè)的輪回中，中國的半導體
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半導體 集成電路
在多古希臘神話中，西緒福斯(Sisyphus，又譯西齊佛)推石頭的故事給我留下了深刻的印象。西緒福斯因為在天庭犯了法，被宙斯懲。對他的懲是：要推一塊巨石上山。每天，西緒福斯都要費好大的力氣把那塊石頭推到山頂，可是石頭又會自動滾下來，于是西緒福斯又要把那塊石頭往山頂上推。日復一日，周而復始。
猶如西緒福斯推動巨石，歷史是循環(huán)的，又是進步的。在半導體業(yè)的輪回中，中國的半導體業(yè)卻似乎“循環(huán)”大于“進步”，彷佛陷入了“西緒福斯”推石
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半導體 電子
英特爾(Intel)的發(fā)言人透露，該公司第一座18寸(450mm)晶圓廠計劃自2013年1月起「順利展開」，該座代號為 D1X第二期( module 2)的晶圓廠已經(jīng)低調動土。
據(jù)了解，英特爾打算將D1X 第二期作為量產18寸晶圓IC的研發(fā)晶圓廠;該公司在2012年12月就透露正準備擴充D1X廠區(qū)，以「容納新的制造技術」，但該訊息僅低調地在美國奧勒岡州當?shù)孛襟w曝光，并沒有公布在公司官網(wǎng)。
英特爾D1X廠的第一期工程預期會是該公司第一條以12寸晶圓生產14奈米 FinFET 晶片的生產線;而
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半導體 晶圓
全球領先的半導體、平板顯示和太陽能光伏行業(yè)制造解決方案供應商應用材料公司(Applied Materials, Inc.)16日宣布，其董事會已任命蓋瑞?狄克森(Gary E. Dickerson)擔任公司總裁兼首席執(zhí)行官(CEO)，原CEO麥克?斯普林特(Michael R. Splinter)出任董事會執(zhí)行主席，新任命自2013年9月1日起生效。此外，狄克森先生也被選為董事會成員，任命同時生效。迪克森目前擔任應用材料公司總裁，將接替麥克?斯普林特出任首席執(zhí)行官，后者自2003年起擔任公司首席執(zhí)行官
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應用材料 半導體
?半導體介紹
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