半導(dǎo)體文章最新資訊

2021半導(dǎo)體材料國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到50% 這個(gè)目標(biāo)如何實(shí)現(xiàn)？

　　“中芯國(guó)際北京廠(chǎng)經(jīng)過(guò)5年多的努力，幫助國(guó)內(nèi)裝備、材料及零部件企業(yè)實(shí)現(xiàn)了技術(shù)成果的產(chǎn)業(yè)化，逐步打破國(guó)外廠(chǎng)商的技術(shù)封鎖和壟斷。”當(dāng)中芯北方集成電路制造(北京)有限公司總經(jīng)理張昕在日前于寧波北侖舉辦的“中國(guó)半導(dǎo)體材料及零部件發(fā)展2017年會(huì)”上說(shuō)出上述一番話(huà)時(shí)，與會(huì)的國(guó)內(nèi)300多名半導(dǎo)體材料及零部件供應(yīng)商代表的臉上無(wú)不流露出興奮的神情，曾經(jīng)是國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈最弱環(huán)節(jié)的國(guó)產(chǎn)材料和零部件，終于可以堂而皇之地進(jìn)入下游集成電路制造企業(yè)了。　　國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)
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?從80年代到現(xiàn)在，整個(gè)信息化時(shí)代基本上可以分為三個(gè)階段，即互聯(lián)網(wǎng)時(shí)代、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)時(shí)代和當(dāng)下的物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代。過(guò)去三十年基本上實(shí)現(xiàn)的是從無(wú)到有的過(guò)程，而未來(lái)的十年，將會(huì)是基于品質(zhì)的大消費(fèi)十年，同時(shí)也是半導(dǎo)體、集成電路蓬勃發(fā)展的十年。
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　　【因?yàn)樵嫉亩x是18~24個(gè)月晶體管密度會(huì)倍增，但我們已經(jīng)用遠(yuǎn)快于摩爾定律的速度來(lái)發(fā)展半導(dǎo)體工藝，會(huì)以快于摩爾定律的時(shí)間來(lái)倍增晶體管密度，并維持到至少2025年以前】　　摩爾定律的極限在哪里? 　　在臺(tái)積電創(chuàng)始人張忠謀看來(lái)，實(shí)際上摩爾定律在半導(dǎo)體行業(yè)中早已不適用了。　　“因?yàn)樵嫉亩x是18~24個(gè)月晶體管密度會(huì)倍增，但我們已經(jīng)用遠(yuǎn)快于摩爾定律的速度來(lái)發(fā)展半導(dǎo)體工藝，會(huì)以快于摩爾定律的時(shí)間來(lái)倍增晶體管密度，并維持到至少2025年以前。”10月23日，在臺(tái)積電30周年
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　　近日，863計(jì)劃先進(jìn)制造技術(shù)領(lǐng)域“大尺寸SiC材料與器件的制造設(shè)備與工藝技術(shù)研究”課題通過(guò)了技術(shù)驗(yàn)收。　　通常，國(guó)際上把碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導(dǎo)體材料稱(chēng)之為第三代半導(dǎo)體材料。其在禁帶寬度、擊穿場(chǎng)強(qiáng)、電子飽和漂移速度、熱導(dǎo)率等綜合物理特性上具有更加突出的綜合優(yōu)勢(shì)，特別在抗高電壓、高溫等方面性能尤為明顯，由于第三代半導(dǎo)體材料的制造裝備對(duì)設(shè)備真空度、高溫加熱性能、溫度控制精度以及高性能溫場(chǎng)分布、設(shè)備可靠性等直接影響SiC單晶襯底質(zhì)量和成品率的關(guān)鍵技術(shù)有很高的
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